[发明专利]一种具有高电荷保持能力的半浮栅晶体管及其制备方法

摘要

本发明属于集成电路器件制造技术领域，具体为一种具有高电荷保持能力的半浮栅晶体管及其制备方法。本发明半浮栅晶体管包括：半导体衬底，形成于所述半导体衬底中的U型槽；与U型槽的一侧相邻接的轻掺杂区；与轻掺杂区相接触的第一栅极叠层；第二栅极叠层；栅极侧墙；以及源区和漏区。本发明能够进一步减小半浮栅器件栅极的漏电流，提高晶体管的开关速度，降低功耗。并且，可以有效降低半浮栅器件的漏极电压，同时提高晶体管浮栅对电荷的保持能力。

主权项

1.一种具有高电荷保持能力的半浮栅晶体管，其特征在于，包括：半导体衬底，具有第一掺杂类型；U型槽，形成于所述半导体衬底中；轻掺杂区，具有第二掺杂类型，形成于所述半导体衬底中，与所述U型槽的一侧相邻接；第一栅极叠层，包括第一高K栅介质层和第一金属栅，其中，所述第一高K栅介质层覆盖所述U型槽的表面并部分覆盖所述轻掺杂区表面，在所述轻掺杂区表面形成开口，所述第一金属栅覆盖所述第一高K栅介质层，在所述开口处与所述轻掺杂区相接触；第二栅极叠层，包括第二高K栅介质层和第二金属栅，所述第二高K栅介质层覆盖所述第一金属栅表面和部分所述轻掺杂区表面，所述第二金属栅覆盖所述第二高K栅介质层；栅极侧墙，位于所述第一栅极叠层和第二栅极叠层两侧；以及源区和漏区，具有第二掺杂类型，形成于所述半导体衬底中，位于所述第一、第二栅极叠层两侧，其中，漏区形成于所述轻掺杂区中。