[发明专利]一种高品质的大尺寸碳化硅晶体生长方法有效
| 申请号： | 201811534979.5 | 申请日： | 2018-12-14 |
| 公开（公告）号： | CN110592673B | 公开（公告）日： | 2020-09-25 |
| 发明（设计）人： | 刘春俊;姚静;彭同华;赵宁;王波;杨建 | 申请（专利权）人： | 北京天科合达半导体股份有限公司;新疆天科合达蓝光半导体有限公司 |
| 主分类号： | C30B29/36 | 分类号： | C30B29/36;C30B23/00 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 王学强 |
| 地址： | 102600 北京市大兴区中关村科技*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种高品质的大尺寸碳化硅晶体生长方法，旨在提高生长的SiC晶体质量，消除平面六方空洞缺陷。此方法包括以下步骤：将装有碳化硅原料和籽晶的坩埚放于单晶生长炉中，坩埚快速上推距离范围为5‑50mm，远离高温区，待达到一定的温度和压力条件下，坩埚缓慢下降，下降距离与坩埚上推距离一致，之后在一定的温度和压力条件下使碳化硅原料发生升华并在籽晶上结晶，将晶体冷却，获得碳化硅单晶。本发明的优点是：在晶体生长初期，使籽晶远离高温区，消除因温度高导致的籽晶烧蚀，从而消除平面六方空洞缺陷；同时保证SiC原料的充分利用，从而获得高品质的大尺寸碳化硅晶体。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 品质 尺寸 碳化硅 晶体生长 方法 | ||
【主权项】：
1.一种高品质的大尺寸碳化硅晶体生长方法，此方法包括以下步骤：将装有碳化硅原料和籽晶的坩埚放于单晶生长炉中，坩埚快速上推距离范围为5-50mm，远离高温区，在一定的温度、压力和坩埚移动条件下使碳化硅原料发生升华并在籽晶上结晶，将晶体冷却，获得碳化硅单晶；具体工艺过程如下：（1）在压力为20-80kPa的条件下，将温度升至2100-2400℃，快速上推坩埚5-50mm使籽晶远离高温区，并维持1-10h；（2）在步骤（1）基础上保持加热电源的功率不变，将压力降至100-3000Pa，SiC晶体开始在籽晶上结晶生长，并维持1-5h；（3）保持压力恒定、加热电源的功率恒定，用10小时到30小时时间将坩埚缓慢下降5-50mm；（4）保持压力恒定，温度保持在2100-2400℃，温度与步骤（1）生长温度接近，相差不超过50℃，继续进行晶体生长40-100h；（5）将压力升至20-80kPa，进行降温冷却；所述温度为坩埚内碳化硅原料处的温度，所述压力为生长室内的压力。/n
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