[发明专利]单分散介孔二氧化硅纳米片材料的制备方法在审
| 申请号： | 201811534737.6 | 申请日： | 2018-12-14 |
| 公开（公告）号： | CN109368648A | 公开（公告）日： | 2019-02-22 |
| 发明（设计）人： | 赵东元;朱洪伟;刘玉普 | 申请（专利权）人： | 深圳元颉新材料科技有限公司 |
| 主分类号： | C01B33/18 | 分类号： | C01B33/18;B82Y30/00;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 518000 广东省深圳市南山区粤海街*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明提出了一种单分散介孔二氧化硅纳米片材料的制备方法，包括：(1)将表面活性剂和催化剂溶解到水中，加入有机溶剂；加入硅源，形成新的混相体系；(2)所述新的混相体系在温度10‑60℃中反应；得到单分散介孔二氧化硅纳米片；(3)将上述单分散介孔二氧化硅纳米片，去除其中的表面活性剂。 | ||
| 搜索关键词： | 介孔二氧化硅 单分散 表面活性剂 纳米片材料 纳米片 制备 有机溶剂 硅源 水中 催化剂 去除 溶解 | ||
【主权项】：
1.一种单分散介孔二氧化硅纳米片材料的制备方法，其特征在于，包括：(1)将表面活性剂和催化剂溶解到水中，搅拌至澄清溶液；将有机溶剂加入到澄清溶液中，得到油水混相体系；将硅源加入到油水混相体系中，形成新的混相体系；其中硅源的浓度为1‑15wt％；表面活性剂与硅源的质量比为0.5‑12.5；(2)所述新的混相体系在温度10‑60℃中反应；得到单分散介孔二氧化硅纳米片；(3)去除上述单分散介孔二氧化硅纳米片中的表面活性剂，即得单分散介孔二氧化硅纳米片材料。
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