[发明专利]一种TFT阵列基板及其制备方法

摘要

本发明提供一种TFT阵列基板，包括衬底，衬底上依次层叠设置有半导体层、第一栅极绝缘层、第一栅极层、第二栅极绝缘层、第一源漏层、层间介质层、第一平坦层、第二源漏层；其中，第一源漏层包括多道第一源漏金属走线，半导体层包括多条半导体走线，至少一道源漏金属走线穿过第一栅极绝缘层和第二栅极绝缘层与对应的半导体走线接触连接。有益效果：将原本用第二源漏层作为走线连接的部分位置采用第一源漏层替换，第一源漏层的第一源漏金属走线与对应的半导体走线接触连接时，无需在层间介质层和第一平坦层上开孔，从而降低层间介质层和第一平坦层上的孔洞的数量和密度，便于生产制造。

主权项

1.一种TFT阵列基板，其特征在于，所述阵列基板包括：衬底；设置于所述衬底上的半导体层；设置于所述衬底上且覆盖所述半导体层的第一栅极绝缘层；设置于所述第一栅极绝缘层上的第一栅极层；设置于所述第一栅极绝缘层上且覆盖所述第一栅极层的第二栅极绝缘层；设置于所述第二栅极绝缘层上的第一源漏层；设置于所述第二栅极绝缘层上且覆盖所述第一源漏层的层间介质层；设置于所述层间介质层上第一平坦层；设置于所述第一平坦层上的第二源漏层，所述第二源漏层包括多道相互独立的第二源漏金属走线；设置于所述第一平坦层上且覆盖所述第二源漏层的第二平坦层；设置于所述第二平坦层上的发光层和封装层；其中，所述第一源漏层包括多道相互独立的第一源漏金属走线，所述半导体层包括有源岛和多条相互独立的半导体走线；至少一道所述第一源漏金属走线穿过第一栅极绝缘层和第二栅极绝缘层与对应的半导体走线接触连接，至少一道第二源漏金属走线与所述有源岛的掺杂区接触连接。