[发明专利]一种TFT阵列基板及其制备方法

权利要求书

1.一种TFT阵列基板，其特征在于，所述阵列基板包括：

衬底；

设置于所述衬底上的半导体层；

设置于所述衬底上且覆盖所述半导体层的第一栅极绝缘层；

设置于所述第一栅极绝缘层上的第一栅极层；

设置于所述第一栅极绝缘层上且覆盖所述第一栅极层的第二栅极绝缘层；

设置于所述第二栅极绝缘层上的第一源漏层；

设置于所述第二栅极绝缘层上且覆盖所述第一源漏层的层间介质层；

设置于所述层间介质层上第一平坦层；

设置于所述第一平坦层上的第二源漏层，所述第二源漏层包括多道相互独立的第二源漏金属走线；

设置于所述第一平坦层上且覆盖所述第二源漏层的第二平坦层；

设置于所述第二平坦层上的发光层和封装层；

其中，所述第一源漏层包括多道相互独立的第一源漏金属走线，所述半导体层包括有源岛和多条相互独立的半导体走线；至少一道所述第一源漏金属走线穿过第一栅极绝缘层和第二栅极绝缘层与对应的半导体走线接触连接，至少一道第二源漏金属走线与所述有源岛的掺杂区接触连接。

2.根据权利要求1所述的TFT阵列基板，其特征在于，所述第一栅极层包括多道相互独立的栅极金属走线，至少一道所述第一源漏金属走线与对应的栅极金属走线形成电容。

3.根据权利要求2所述的TFT阵列基板，其特征在于，至少一道所述第一源漏金属走线同时与对应的栅极金属走线和半导体走线接触连接。

4.根据权利要求2所述的TFT阵列基板，其特征在于，所述第二源漏层包括多道相互独立的第二源漏金属走线，至少一道所述第二源漏金属走线同时与对应的栅极金属走线和半导体走线接触连接。

5.一种TFT阵列基板的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括：

S10、在衬底上形成图案化的半导体层，所述半导体层包括有源岛和多条相互独立的半导体走线；

S20、在所述衬底上形成第一栅极绝缘层；

S30、在所述第一栅极绝缘层上形成第一栅极层；

S40、在所述第一栅极绝缘层上形成覆盖第一栅极层的第二栅极绝缘层；

S50、在所述第一栅极绝缘层和第二栅极绝缘层上形成延伸到所述半导体走线表面的第一搭接孔；

S60、在所述第二栅极绝缘层上形成填充第一搭接孔的图案化的第一源漏层；

S70、在所述第二栅极绝缘层上依次层叠形成层间介质层、第一平坦层、与所述有源岛的掺杂区接触连接的第二源漏层、覆盖所述第二源漏层的第二平坦层、发光层以及封装层。

6.根据权利要求5所述的TFT阵列基板的制备方法，其特征在于，在步骤S50中，在形成第一搭接孔的过程中，在第二栅极绝缘层上形成延伸到第一栅极层表面的第二搭接孔。

7.根据权利要求6所述的TFT阵列基板的制备方法，其特征在于，在步骤S50中，在形成第一搭接孔和第二搭接孔的过程中在所述第二栅极绝缘层上形成第一层沟槽，所述第一层沟槽贯穿所述第一栅极绝缘层和所述第二栅极绝缘层。

8.根据权利要求7所述的TFT阵列基板的制备方法，其特征在于，在步骤S70中，形成层间介质层后，在所述层间介质层上形成延伸到有源岛的掺杂区的表面的第一层过孔。

9.根据权利要求8所述的TFT阵列基板的制备方法，其特征在于，在步骤S70中，在形成第一层过孔的过程中，在所述第一层沟槽中形成第二层沟槽，以形成弯折区，所述第二层沟槽由所述层间介质层的表面延伸至所述衬底的表面。

10.根据权利要求9所述的TFT阵列基板的制备方法，其特征在于，在步骤S70中，形成第一平坦层时，使用第一平坦层填充第一层沟槽和第二层沟槽。