[发明专利]一种OLED显示基板及其制备方法、显示装置有效

专利信息
申请号: 201811525498.8 申请日: 2018-12-13
公开(公告)号: CN109524576B 公开(公告)日: 2020-12-29
发明(设计)人: 姚固;朱儒晖;段廷原 申请(专利权)人: 合肥鑫晟光电科技有限公司;京东方科技集团股份有限公司
主分类号: H01L51/56 分类号: H01L51/56;H01L51/52;H01L27/32
代理公司: 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 代理人: 柴亮;张天舒
地址: 230012 *** 国省代码: 安徽;34
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摘要: 发明提供一种OLED显示基板及其制备方法、显示装置,属于显示技术领域,其可解决现有的顶发射OLED器件第二电极电阻值高的问题。本发明的OLED显示基板的制备方法中增加了在辅助电极背离衬底的一侧形成相变结构的步骤,利用其受激励缩变促‑‑使发光层形成开口,使得第二电极覆盖发光层时通过所述开口与辅助电极电连接。该方法无需图案化发光层,也可确保辅助电极通过开口与第二电极连接,以降低第二电极的电阻。
搜索关键词: 一种 oled 显示 及其 制备 方法 显示装置
【主权项】:
1.一种OLED显示基板的制备方法,其特征在于,包括以下制备步骤:提供一衬底,所述衬底上包含像素界定区,所述像素界定区界定像素单元,在衬底上的像素单元内形成第一电极;在像素界定区的衬底上形成像素定义结构和辅助电极,其中,像素定义结构配置为隔离第一电极和辅助电极;形成相变结构;在完成上述步骤的衬底上形成发光层,所述发光层覆盖相变结构以及像素单元内的第一电极;对所述相变结构进行激励,以使所述相变结构缩变,从而使发光层在所述相变结构缩变的位置处断裂形成开口;在完成上述步骤的衬底上形成第二电极,所述第二电极覆盖发光层,并通过所述开口与辅助电极电连接。
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