[发明专利]一种OLED显示基板及其制备方法、显示装置有效

专利信息
申请号: 201811525498.8 申请日: 2018-12-13
公开(公告)号: CN109524576B 公开(公告)日: 2020-12-29
发明(设计)人: 姚固;朱儒晖;段廷原 申请(专利权)人: 合肥鑫晟光电科技有限公司;京东方科技集团股份有限公司
主分类号: H01L51/56 分类号: H01L51/56;H01L51/52;H01L27/32
代理公司: 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 代理人: 柴亮;张天舒
地址: 230012 *** 国省代码: 安徽;34
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摘要:
搜索关键词: 一种 oled 显示 及其 制备 方法 显示装置
【说明书】:

发明提供一种OLED显示基板及其制备方法、显示装置,属于显示技术领域,其可解决现有的顶发射OLED器件第二电极电阻值高的问题。本发明的OLED显示基板的制备方法中增加了在辅助电极背离衬底的一侧形成相变结构的步骤,利用其受激励缩变促‑‑使发光层形成开口,使得第二电极覆盖发光层时通过所述开口与辅助电极电连接。该方法无需图案化发光层,也可确保辅助电极通过开口与第二电极连接,以降低第二电极的电阻。

技术领域

本发明属于显示技术领域,具体涉及一种OLED显示基板及其制备方法、显示装置。

背景技术

有机发光二极管(Organic Light Emitting Diode,OLED)相较于液晶显示器(LCD)具有自发光、视角广、轻薄等优点,被认为是下一代显示技术。

现有的OLED器件通常包括阳极和阴极,以及位于阳极和阴极之间的发光层。根据出光方向不同,其可分为底发射器件和顶发射器件两种。由于顶发射器件可以获得更大的开口率,能显著提高屏幕亮度,近年来成为研究的热门。

发明人发现现有技术中至少存在如下问题:通常像素界定结构限定出像素单元,衬底上的第一电极被像素界定结构分隔,而发光层和阴极均整层结构,顶发射OLED器件需要很薄的阴极和反射阳极来增加光的透过率,而薄的透明阴极带来的问题就是电阻值较高,电压降(IR drop)比较严重。一般而言,离电源供给点越远的OLED发光面电压降越明显,从而导致OLED器件出现明显的发光不均匀的现象。

发明内容

本发明针对现有的顶发射OLED器件第二电极电阻值高的问题,提供一种OLED显示基板及其制备方法、显示装置。

解决本发明技术问题所采用的技术方案是:

一种OLED显示基板的制备方法,包括以下制备步骤:

提供一衬底,所述衬底上包含像素界定区,所述像素界定区界定像素单元,在衬底上的像素单元内形成第一电极;

在像素界定区的衬底上形成像素定义结构和辅助电极,其中,像素定义结构配置为隔离第一电极和辅助电极;

形成相变结构;

在完成上述步骤的衬底上形成发光层,所述发光层覆盖相变结构以及像素单元内的第一电极;

对所述相变结构进行激励,以使所述相变结构缩变,从而使发光层在所述相变结构缩变的位置处断裂形成开口;

在完成上述步骤的衬底上形成第二电极,所述第二电极覆盖发光层,并通过所述开口与辅助电极电连接。

可选的是,所述形成相变结构包括在辅助电极背离衬底的一侧形成第一相变结构。

可选的是,所述像素定义结构围成第一封闭图形,所述第一封闭图形的图形本体中具有第一容纳区,所述辅助电极形成于所述第一容纳区内。

可选的是,至少部分相邻的两个像素单元之间的第一容纳区的中部还具有第二容纳区,所述形成相变结构包括在衬底上第二容纳区内形成第二相变结构。

可选的是,对所述相变结构进行激励包括采用激光进行照射。

可选的是,所述激光照射波长为330-380nm,所述激光照射的能量密度为10~6000mJ/cm2,频率为100~3000Hz,时间为5~1000ns。

可选的是,形成所述相变结构的材料包括采用含有偶氮苯结构的聚酰亚胺或聚硅氧烷,含有苯并螺吡喃结构的聚酰亚胺、氯化聚乙烯、丙己酰-肉桂酰-乙二脂共聚物中的任意一种或几种的混合物。

可选的是,所述第一电极为阳极,所述第二电极为阴极。

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