[发明专利]薄膜晶体管、发光装置及其制造方法有效
| 申请号： | 201811525359.5 | 申请日： | 2018-12-13 |
| 公开（公告）号： | CN109560141B | 公开（公告）日： | 2020-09-25 |
| 发明（设计）人： | 王庆贺;王东方;苏同上;刘宁;李广耀;黄勇潮;张扬;宋嘉文;罗志文;闫梁臣 | 申请（专利权）人： | 合肥鑫晟光电科技有限公司;京东方科技集团股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L29/49;H01L29/423;H01L27/32;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人： | 姜春咸;陈源 |
| 地址： | 230012 *** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本发明提供一种薄膜晶体管，所述薄膜晶体管包括有源层和与所述有源层绝缘间隔的主栅极，所述主栅极由导电材料制成，其中，所述薄膜晶体管还包括与所述有源层绝缘间隔的辅助栅极，所述主栅极和所述辅助栅极分别位于所述有源层厚度方向的两侧，所述辅助栅极由相变材料制成，所述相变材料的温度低于预设温度阈值时绝缘，所述相变材料的温度高于所述预设温度阈值时能够导电，所述主栅极与所述辅助栅极通过导电材料相连。本发明还提供一种发光装置和一种发光装置的制造方法。所述薄膜晶体管可以在发光装置温度上升时转变为双栅薄膜晶体管，降低驱动电压，并降低发光装置的能耗。 | ||
| 搜索关键词： | 薄膜晶体管 发光 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种薄膜晶体管，所述薄膜晶体管包括有源层和与所述有源层绝缘间隔的主栅极，所述主栅极由导电材料制成，其特征在于，所述薄膜晶体管还包括与所述有源层绝缘间隔的辅助栅极，所述主栅极和所述辅助栅极分别位于所述有源层厚度方向的两侧，所述辅助栅极由相变材料制成，所述相变材料的温度低于预设温度阈值时绝缘，所述相变材料的温度高于所述预设温度阈值时能够导电，所述主栅极与所述辅助栅极通过导电材料相连。
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