[发明专利]薄膜晶体管、发光装置及其制造方法

说明书

本发明提供一种薄膜晶体管，所述薄膜晶体管包括有源层和与所述有源层绝缘间隔的主栅极，所述主栅极由导电材料制成，其中，所述薄膜晶体管还包括与所述有源层绝缘间隔的辅助栅极，所述主栅极和所述辅助栅极分别位于所述有源层厚度方向的两侧，所述辅助栅极由相变材料制成，所述相变材料的温度低于预设温度阈值时绝缘，所述相变材料的温度高于所述预设温度阈值时能够导电，所述主栅极与所述辅助栅极通过导电材料相连。本发明还提供一种发光装置和一种发光装置的制造方法。所述薄膜晶体管可以在发光装置温度上升时转变为双栅薄膜晶体管，降低驱动电压，并降低发光装置的能耗。

技术领域

本发明涉及发光装置领域，具体地，涉及一种薄膜晶体管、一种包括该薄膜晶体管的发光装置以及该发光装置的制造方法。

背景技术

在微电子设备的集成中，通常会用到薄膜晶体管。例如，薄膜晶体管可以用作开关元件、放大元件等等。

随着电子设备功能的增加、以及消费者对设备轻小型化的需求，电路中集成的薄膜晶体管数量也越来越多，耗电量也越来越高，不利于节能，并且频繁充电等也为用户的使用增加了不便。

因此，如何降低微电子设备的耗电量成为本领域亟待解决的技术问题。

发明内容

本发明的目的在于提供一种薄膜晶体管、一种包括该薄膜晶体管的发光装置和该发光装置的制造方法。所述薄膜晶体管可以在发光装置温度上升时转变为双栅薄膜晶体管，降低驱动电压，并降低发光装置的能耗。

为了实现上述目的，作为本发明的一个方面，提供一种薄膜晶体管，所述薄膜晶体管包括有源层和与所述有源层绝缘间隔的主栅极，所述主栅极由导电材料制成，其中，所述薄膜晶体管还包括与所述有源层绝缘间隔的辅助栅极，所述主栅极和所述辅助栅极分别位于所述有源层厚度方向的两侧，所述辅助栅极由相变材料制成，所述相变材料的温度低于预设温度阈值时绝缘，所述相变材料的温度高于所述预设温度阈值时能够导电，所述主栅极与所述辅助栅极通过导电材料相连。

优选地，所述辅助栅极的材料包括二氧化钒，或者所述辅助栅极的材料包括二氧化钒和锗。

优选地，所述薄膜晶体管包括栅极绝缘层和绝缘缓冲层，所述栅极绝缘层设置在所述主栅极与所述有源层之间，所述绝缘缓冲层设置在所述辅助栅极与所述有源层之间，并且，所述辅助栅极的一部分超出所述有源层在辅助栅极所在层的正投影的范围，所述主栅极通过贯穿所述栅极绝缘层和所述绝缘缓冲层的连接过孔与所述辅助栅极上超出所述有源层正投影的部分相连。

作为本发明的第二个方面，提供一种发光装置，所述发光装置包括发光元件和用于驱动所述发光元件发光的驱动电路，其中，所述驱动电路包括本发明所提供的上述薄膜晶体管。

优选地，所述发光装置包括衬底基板，所述驱动电路形成在所述衬底基板上，所述衬底基板被划分为排列多行多列的多个像素单元，每个所述像素单元内均设置有所述发光元件，所述驱动电路包括多条栅线，每行像素单元对应至少一条栅线，所述栅线与相应的薄膜晶体管的主栅极电连接。

优选地，所述发光装置还包括导电性检测子电路和电压调节子电路，所述导电性检测子电路用于检测所述辅助栅极是否具有导电性，并且在所述辅助栅极具有导电性时生成触发信号，

所述电压调节子电路用于在未接收到所述触发信号时向所述栅线提供第一电压信号；

所述电压调节子电路用于在接收到所述触发信号时向所述栅线提供第二电压信号，所述第二电压信号的绝对值低于所述第一电压信号的绝对值。