[发明专利]一种含Ti3有效

专利信息
申请号: 201811524818.8 申请日: 2018-12-13
公开(公告)号: CN109467450B 公开(公告)日: 2021-09-24
发明(设计)人: 黄小忠;王春齐;唐云;彭立华 申请(专利权)人: 湖南泽睿新材料有限公司
主分类号: C04B35/80 分类号: C04B35/80;C04B35/573
代理公司: 长沙市融智专利事务所(普通合伙) 43114 代理人: 魏娟
地址: 410000 湖南*** 国省代码: 湖南;43
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摘要: 发明公开了一种含Ti3SiC2界面层的SiCf/SiC复合材料的制备方法,采用磁控溅射的方法对SiC纤维编织件进行沉积Ti3SiC2,获得含Ti3SiC2界面层的SiC纤维编织件,然后通过树脂浸渍碳化获得SiCf/C多孔体,再通过气相渗硅获得SiCf/SiC复合材料;所述磁控溅射为先采用TiC靶进行磁控溅射,在SiC纤维束或SiC纤维编织件表面获得0.1~0.2μm的TiC过镀层,然后再采用TiC靶材与Si靶双靶共溅射获得Ti3SiC2,所述Ti3SiC2的厚度控制为0.6~1.0μm;本发明首创的采用磁控溅射的方法获得了含Ti3SiC2界面层的SiCf/SiC复合材料,有效降低了沉积温度,避免了纤维的损伤,所得界面层在抗氧化性能方面优于现有技术常用的C、BN等界面层。同时本发明采用非接触式气相渗硅法进行陶瓷化,有效的降低了密度梯度,且可保证100%的合格率。
搜索关键词: 一种 ti base sub
【主权项】:
1.一种含Ti3SiC2界面层的SiCf/SiC复合材料的制备方法,其特征在于,包括如下步骤:采用磁控溅射的方法对SiC纤维编织件进行沉积Ti3SiC2,获得含Ti3SiC2界面层的SiC纤维编织件,然后通过树脂浸渍碳化获得SiCf/C多孔体,再通过气相渗硅获得SiCf/SiC复合材料。
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