[发明专利]一种缺陷的钴掺杂二硫化铁多孔中空花状纳米粉体的制备方法及电催化应用有效
| 申请号： | 201811512094.5 | 申请日： | 2018-12-11 |
| 公开（公告）号： | CN109485103B | 公开（公告）日： | 2021-04-23 |
| 发明（设计）人： | 孙旭;郭成英;高令峰;马晓晶;匡轩;魏琴 | 申请（专利权）人： | 济南大学 |
| 主分类号： | C01G49/12 | 分类号： | C01G49/12;C25B1/04;C25B11/077;B82Y30/00 |
| 代理公司： | 济南誉丰专利代理事务所(普通合伙企业) 37240 | 代理人： | 高强 |
| 地址： | 250022 山东*** | 国省代码： | 山东;37 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供了一种具有缺陷的钴掺杂二硫化铁多孔中空花状纳米粉体的制备方法及电催化应用。首先，制备铁、钴反应液，加热合成无定形钴铁氧体纳米粉体；然后溶剂热法进行硫化反应制得钴掺杂二硫化铁花状纳米粉体；最后，在惰性气体保护下退火处理，得到有缺陷的钴掺杂二硫化铁多孔中空花状纳米粉体。有缺陷的钴掺杂二硫化铁多孔中空花状纳米粉体应用到电催化产氧反应（OER）具有优异的催化性能，过电位低至0.270 V（相对标准氢电极），塔菲尔斜率低至40 mV/dec。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 缺陷 掺杂 二硫化铁 多孔 中空 纳米 制备 方法 电催化 应用 | ||
【主权项】：
1.一种缺陷的钴掺杂二硫化铁多孔中空花状纳米粉体的制备方法，其特征在于，制备步骤如下：（1）配制一定比例的钴、铁预反应液，加热反应一定时间后得到无定形钴铁氧体纳米粉体；（2）硫源化合物与无定形钴铁氧体纳米粉体进行溶剂热反应，一定时间后得到钴掺杂二硫化铁花状纳米粉体；（3）将钴掺杂二硫化铁花状纳米粉体置于管式炉中，一定温度下，在惰性气氛下退火即得到具有缺陷的钴掺杂二硫化铁多孔中空花状纳米粉体。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于济南大学，未经济南大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201811512094.5/，转载请声明来源钻瓜专利网。
