[发明专利]四元宽光谱高比探测率有机光电探测器及其制备方法在审
申请号: | 201811511334.X | 申请日: | 2018-12-11 |
公开(公告)号: | CN109888099A | 公开(公告)日: | 2019-06-14 |
发明(设计)人: | 安涛;王永强 | 申请(专利权)人: | 西安理工大学 |
主分类号: | H01L51/42 | 分类号: | H01L51/42;H01L51/46;H01L51/48 |
代理公司: | 西安弘理专利事务所 61214 | 代理人: | 韩玙 |
地址: | 710048*** | 国省代码: | 陕西;61 |
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摘要: | 本发明公开了一种四元宽光谱高比探测率有机光电探测器,包括玻璃基片,玻璃基片的一个表面上镀有ITO电极层,ITO电极层表面由下而上依次涂覆有阳极缓冲层、活性层、阴极缓冲层及Al电极层。本发明还公开了一种四元宽光谱高比探测率有机光电探测器的制备方法。本发明的四元宽光谱高比探测率有机光电探测器sss,活性层采用四元体异质结结构,选用四种不同吸收光谱的光敏材料,利用吸收光谱互补原理,进而扩大有机光电探测器的光谱响应范围。 | ||
搜索关键词: | 有机光电探测器 宽光谱 探测率 玻璃基片 吸收光谱 活性层 制备 阳极缓冲层 异质结结构 阴极缓冲层 光敏材料 光谱响应 互补原理 涂覆 元体 | ||
【主权项】:
1.四元宽光谱高比探测率有机光电探测器,其特征在于,包括玻璃基片(1),所述玻璃基片(1)的一个表面上镀有ITO电极层(2),所述ITO电极层(2)表面由下而上依次涂覆有阳极缓冲层(3)、活性层(4)、阴极缓冲层(5)及Al电极层(6)。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择
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