[发明专利]四元宽光谱高比探测率有机光电探测器及其制备方法

权利要求书

1.四元宽光谱高比探测率有机光电探测器，其特征在于，包括玻璃基片(1)，所述玻璃基片(1)的一个表面上镀有ITO电极层(2)，所述ITO电极层(2)表面由下而上依次涂覆有阳极缓冲层(3)、活性层(4)、阴极缓冲层(5)及Al电极层(6)。

2.根据权利要求1所述的四元宽光谱高比探测率有机光电探测器，其特征在于，所述阳极缓冲层(3)为PEDOT和PSS的混合物层，所述阳极缓冲层(3)的厚度为30nm～50nm。

3.根据权利要求1所述的四元宽光谱高比探测率有机光电探测器，其特征在于，所述活性层(4)为PBDTTT-F、P3HT、PC₆₁BM和PBDTTT-C的混合物层，且P3HT、PC₆₁BM、PBDTTT-F、PBDTTT-C的质量比为12:8:0-3:3-0；所述活性层(4)的厚度为150nm～200nm。

4.根据权利要求3所述的四元宽光谱高比探测率有机光电探测器，其特征在于，所述活性层(4)的电子给体材料为PBDTTT-F，PBDTTT-C和P3HT，所述活性层(4)的电子受体材料为PC₆₁BM。

5.根据权利要求1所述的四元宽光谱高比探测率有机光电探测器，其特征在于，所述阴极缓冲层(5)的材料为LiF，所述阴极缓冲层(5)的厚度为0.8nm～1.5nm。

6.根据权利要求1所述的四元宽光谱高比探测率有机光电探测器，其特征在于，所述Al电极层(6)的厚度为80nm～100nm。

7.四元宽光谱高比探测率有机光电探测器的制备方法，其特征在于，具体按照下述步骤进行：

步骤1，在玻璃基片(1)上镀ITO电极层(2)，得到镀有ITO电极层(2)的玻璃基片(1)；

步骤2，在所述ITO电极层(2)旋涂PEDOT和PSS的混合物，得到镀有阳极缓冲层(3)的玻璃基片(1)；

步骤3，将PBDTTT-F、PBDTTT-C、P3HT和PC₆₁BM溶于氯苯中形成混合溶液，将所述混合溶液旋涂在所述阳极缓冲层(3)，得到镀有活性层(4)的玻璃基片(1)；

步骤4，在活性层(4)上蒸镀LiF层，得到镀有阴极缓冲层(5)的玻璃基片(1)；

步骤5，在阴极缓冲层(5)上沉积Al电极层(6)，得到有机光电探测器。

8.根据权利要求7所述的四元宽光谱高比探测率有机光电探测器的制备方法，其特征在于，所述步骤1中在玻璃基片(1)上镀ITO电极层(2)后，采用湿法清洗镀有ITO电极层(2)的玻璃基片(1)，然后用纯氮气吹干或红外烘干。

9.根据权利要求7所述的四元宽光谱高比探测率有机光电探测器的制备方法，其特征在于，将镀有ITO电极层(2)的玻璃基片(1)置于在氮气手套箱中，通过匀胶机在ITO电极层(2)表面旋涂PEDOT:PSS混合物，旋涂完毕后将玻璃基片(1)放在90℃～120℃的样品加热台上退火10min～15min，得到镀有阳极缓冲层(3)的玻璃基片(1)。

10.根据权利要求7所述的四元宽光谱高比探测率有机光电探测器的制备方法，其特征在于，步骤3中将所述混合溶液旋涂在所述阳极缓冲层(3)后，在90℃～120℃的样品加热台上退火10min～15min。