[发明专利]一种功率器件制备方法及功率器件

摘要

本发明提供一种功率器件制备方法及功率器件，通过三次光刻在衬底内部形成沟槽，对沟槽进行横向扩散以及外延生长形成半导体层，获得所述功率器件，该功率器件制备方法工艺简单，制造成本低，形成的功率器件PN结通过外延形成，器件的击穿电压稳定性和一致性良好，侧面PN结密度远大于常规产品，减小了芯片面积，该方法形成的器件具有多路双向功能，方便应用过程中对多个电路同时保护，降低了器件的应用成本。

主权项

1.一种功率器件制备方法，其特征在于，包括：提供第一导电类型的衬底；在所述衬底的侧壁刻蚀形成第一横向沟槽和第二横向沟槽，所述第一横向沟槽和所述第二横向沟槽的距离为T1；在所述第一横向沟槽和所述第二横向沟槽的侧壁进行第二导电类型杂质扩散分别形成第一扩散区和第二扩散区，所述第一扩散区和所述第二扩散区的距离为T2；在所述第一横向沟槽和所述第二横向沟槽内填充第二导电类型杂质分别形成第一外延层和第二外延层；在所述衬底上表面刻蚀形成第三沟槽，所述第三沟槽的宽度为T3；在所述第三沟槽底部注入第二导电类型杂质形成注入区；在所述第三沟槽内填充第一导电类型杂质形成第三外延层；在所述衬底上表面和下表面分别制备第一金属和第二金属。