[发明专利]一种功率器件制备方法及功率器件在审
| 申请号： | 201811511252.5 | 申请日： | 2018-12-11 |
| 公开（公告）号： | CN109860045A | 公开（公告）日： | 2019-06-07 |
| 发明（设计）人： | 不公告发明人 | 申请（专利权）人： | 泉州臻美智能科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/329 | 分类号： | H01L21/329;H01L29/861 |
| 代理公司： | 深圳市知顶顶知识产权代理有限公司 44504 | 代理人： | 马世中 |
| 地址： | 362216 福建省泉州市*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 功率器件 制备 击穿电压稳定性 制备方法工艺 半导体层 常规产品 横向扩散 双向功能 外延生长 应用成本 应用过程 制造成本 衬底 次光 多路 减小 电路 芯片 侧面 | ||
1.一种功率器件制备方法，其特征在于，包括：
提供第一导电类型的衬底；
在所述衬底的侧壁刻蚀形成第一横向沟槽和第二横向沟槽，所述第一横向沟槽和所述第二横向沟槽的距离为T1；
在所述第一横向沟槽和所述第二横向沟槽的侧壁进行第二导电类型杂质扩散分别形成第一扩散区和第二扩散区，所述第一扩散区和所述第二扩散区的距离为T2；
在所述第一横向沟槽和所述第二横向沟槽内填充第二导电类型杂质分别形成第一外延层和第二外延层；
在所述衬底上表面刻蚀形成第三沟槽，所述第三沟槽的宽度为T3；
在所述第三沟槽底部注入第二导电类型杂质形成注入区；
在所述第三沟槽内填充第一导电类型杂质形成第三外延层；
在所述衬底上表面和下表面分别制备第一金属和第二金属。
2.根据权利要求1所述的功率器件制备方法，其特征在于，所述第一横向沟槽和所述第二横向沟槽在所述衬底内的位置中心对称。
3.根据权利要求1所述的功率器件制备方法，其特征在于，所述第一横向沟槽和所述第二横向沟槽采用干法刻蚀形成。
4.根据权利要求1所述的功率器件制备方法，其特征在于，所述第一扩散区和所述第二扩散区通过炉管热扩散形成。
5.根据权利要求1所述的功率器件制备方法，其特征在于，所述第一扩散区和所述第二扩散区在所述衬底内的位置中心对称。
6.根据权利要求1所述的功率器件制备方法，其特征在于，所述第一金属和所述第二金属采用金属溅射法淀积形成。
7.根据权利要求1所述的功率器件制备方法，其特征在于，所述T1大于所述T3，所述T3大于所述T2。
8.一种功率器件，其特征在于，包括：
第一导电类型的衬底；
第二导电类型的第一扩散区和第二扩散区，所述第一扩散区和所述第二扩散区分别形成于所述衬底侧壁；
第二导电类型的第一外延层和第二外延层，所述第一外延层和所述第二外延层形成于所述衬底侧壁，并分别被所述第一扩散区和所述第二扩散区包围除侧壁一端；
第二导电类型的注入区，所述注入区注入形成于所述衬底内部，不与所述第一扩散区和所述第二扩散区连接；
第一导电类型的第三外延层，所述第三外延层形成于所述注入区之上，并分别与所述第一扩散区和所述第二扩散区连接；
第一金属和第二金属，所述第一金属形成于所述衬底上表面，所述第二金属形成于所述衬底下表面。
9.根据权利要求8所述的功率器件，其特征在于，所述第一扩散区和所述第二扩散区在所述衬底内的位置中心对称。
10.根据权利要求8所述的功率器件，其特征在于，所述第一金属与所述第三外延层连接。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
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H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
