[发明专利]多模型计量

摘要

本发明揭示是关于多模型测量。本发明揭示用于表征半导体晶片上的多个所关注结构的设备及方法。产生具有浮动与固定临界参数的变化的组合及对应所模拟光谱的多个模型。每一模型经产生以基于从未知结构收集的光谱而确定此些未知结构的一个或多个临界参数。基于参考数据而确定所述模型中的哪一者与每一临界参数最佳相关，所述参考数据包含多个临界参数中的每一者的多个已知值及对应已知光谱。针对使用计量工具从未知结构获得的光谱，选择并使用所述模型中的不同模型来基于如下操作而确定所述未知结构的所述临界参数中的不同临界参数：基于所述参考数据而确定所述模型中的哪一者与每一临界参数最佳相关。

主权项

1.一种表征样本上的多个所关注结构的方法，所述方法包括：产生多个模型，所述多个模型具有用于输出所模拟光谱的浮动与固定临界参数的不同组合而彼此不同，其中所述模型作为最终模型而产生以基于从未知结构收集的光谱而确定此些未知结构的多个不同临界参数，其中通过使用电磁解算器产生每一模型以模拟从具有浮动与固定临界参数的特定组合的结构输出或散射的光谱；在产生所述模型且不产生另一模型之后，通过：(ⅰ)提供从多个参考结构输出或散射的已知光谱，所述参考结构具有用于所述不同临界参数中的每一者的多个已知值，(ⅱ)如果在此每一模型中浮动，基于此不同临界参数的所述多个已知值从所述模型的每一者输出多个光谱，以及(ⅲ)确定哪个模型的输出的多个光谱与用于此不同临界参数的所述已知值的所述多个光谱最佳相关，从而确定所述模型中的哪一者与所述不同临界参数的每一者最佳相关；提供在半导体制造过程中形成的具有未知结构的半导体晶片；通过计量工具从所述未知结构测量光谱；针对从所述未知结构测量的光谱，选择并使用所述模型中的不同模型来基于如下操作而确定所述未知结构的所述临界参数中的不同临界参数：基于所述参考数据而确定所述模型中的哪一者与每一临界参数最佳相关；及提供经确定的所述未知结构的所述临界参数中的所述不同临界参数，以校正所述半导体制造过程并且提高其它半导体晶片制造的产量。