[发明专利]多模型计量

权利要求书

1.一种表征样本上的多个所关注结构的方法，所述方法包括：

产生多个模型，所述多个模型具有用于输出所模拟光谱的浮动与固定临界参数的不同组合而彼此不同，其中所述模型作为最终模型而产生以基于从未知结构收集的光谱而确定此些未知结构的多个不同临界参数，其中通过使用电磁解算器产生每一模型以模拟从具有浮动与固定临界参数的特定组合的结构输出或散射的光谱；

在产生所述模型且不产生另一模型之后，通过：(ⅰ)提供从多个参考结构输出或散射的已知光谱，所述参考结构具有用于所述不同临界参数中的每一者的多个已知值，(ⅱ)如果在此每一模型中浮动，基于此不同临界参数的所述多个已知值从所述模型的每一者输出多个光谱，以及(ⅲ)确定哪个模型的输出的多个光谱与用于此不同临界参数的所述已知值的多个已知光谱最佳相关，从而确定所述模型中的哪一者与所述不同临界参数的每一者最佳相关；

提供在半导体制造过程中形成的具有未知结构的半导体晶片；

通过计量工具从所述未知结构测量光谱；

针对从所述未知结构测量的光谱，选择并使用所述模型中的不同模型来基于如下操作而确定所述未知结构的所述临界参数中的不同临界参数：基于参考数据而确定所述模型中的哪一者与每一临界参数最佳相关；及

提供经确定的所述未知结构的所述临界参数中的所述不同临界参数，以校正所述半导体制造过程并且提高其它半导体晶片制造的产量。

2.根据权利要求1所述的方法，其中所述模型具有为固定的一个或多个临界参数的不同集合及为浮动的一个或多个临界参数的不同集合。

3.根据权利要求1所述的方法，其中所述模型中的每一者具有低自由度且经配置以提供所述未知结构的所述临界参数的不同子集。

4.根据权利要求1所述的方法，其中所述模型中的至少一者经配置以利用具有对应于多个子模型的多个不同约束条件的同一几何模型或利用对应于多个子模型的不同几何模型。

5.根据权利要求1所述的方法，其中所述模型中的至少第一模型经配置以使用变换函数将所选定的临界参数发送到所述模型中的第二模型。

6.根据权利要求1所述的方法，其中使用以下各项中的一者或多者采集来自已知结构及所述未知结构的光谱：光谱椭圆偏振测量、米勒矩阵光谱椭圆偏振测量、光谱反射测量、光谱散射测量、光束轮廓反射测量、光束轮廓椭圆偏振测量、单一波长、单一离散波长范围或多个离散波长范围。

7.根据权利要求1所述的方法，其中使用严格波耦合分析技术产生所述模型中的每一者。

8.根据权利要求1所述的方法，其中所述临界参数包含中间临界尺寸MCD、顶部CD TCD、底部CD BCD、高度HT及侧壁角度SWA。

9.根据权利要求1所述的方法，其中所述模型中的第一模型经选择及经使用以确定所述临界参数中的第一临界参数，且所述模型中的第二模型经选择及经使用以确定所述临界参数中的第二临界参数，其中所述第一模型比所述第二模型具有用于确定所述第一临界参数的更高的相关性，且其中所述第二模型比所述第一模型具有用于确定所述第二临界参数的更高的相关性。

10.根据权利要求1所述的方法，其中选择并使用不同模型包含基于第一模型满足条件的执行而在所述第一模型的多个子模型之间进行选择，其中每一子模型经配置以用于确定临界参数的同一集合。

11.根据权利要求10所述的方法，其中每一子模型具有固定及浮动临界参数的不同集合，且最初在所述第一模型的所有临界参数为浮动的情况下执行所述第一模型。

12.根据权利要求1所述的方法，其中选择并使用不同模型包含基于第一模型满足条件的执行而在所述第一模型的多个子模型与所述第一模型之间进行选择，其中每一子模型经配置以用于确定临界参数的基本集合的不同子集且所述第一模型经配置以用于确定临界参数的所述基本集合。