[发明专利]沟槽制作方法有效

专利信息
申请号: 201811506351.4 申请日: 2018-12-10
公开(公告)号: CN111293073B 公开(公告)日: 2023-05-23
发明(设计)人: 宋保英;谢岩 申请(专利权)人: 武汉新芯集成电路制造有限公司
主分类号: H01L21/768 分类号: H01L21/768
代理公司: 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 代理人: 屈蘅
地址: 430205 湖北*** 国省代码: 湖北;42
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摘要: 发明提供了一种沟槽制作方法,提供一衬底,所述衬底的表面依次形成有介质层、先进图形膜层、防反射涂覆层和具有第一开口的图形化的光阻层;以图形化的光阻层为掩膜,刻蚀防反射涂覆层形成第二开口;以剩余的防反射涂覆层为掩膜,刻蚀所述先进图形膜层形成第三开口,再去除所述剩余的防反射涂覆层;以剩余的先进图形膜层为掩膜,刻蚀所述介质层,形成贯穿所述介质层的沟槽。依次逐层刻蚀,逐层去除上一层的掩模层,逐层变窄,形成高深宽比的沟槽,防止光阻在沟槽底部残留。采用先进图形膜层为掩模对桥接缺陷进行良好的控制,图形转移能力更加可靠与稳定,沟槽的物理形貌得到良好的控制,有效控制刻蚀过程停止和聚合物堆积。
搜索关键词: 沟槽 制作方法
【主权项】:
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