[发明专利]一种微电子电容在审
| 申请号： | 201811504358.2 | 申请日： | 2018-12-10 |
| 公开（公告）号： | CN109461713A | 公开（公告）日： | 2019-03-12 |
| 发明（设计）人： | 肖建辉;童红杰 | 申请（专利权）人： | 宁波爱芯微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/522 | 分类号： | H01L23/522 |
| 代理公司： | 上海精晟知识产权代理有限公司 31253 | 代理人： | 冯子玲 |
| 地址： | 315800 浙江省宁波市北仑*** | 国省代码： | 浙江;33 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种微电子电容，涉及半导体芯片领域，包括基本平行设置的第一金属层、第二金属层和绝缘层，第一金属层和第二金属层位于绝缘层的两侧，并和绝缘层结合，第一金属层和第二金属层相对于绝缘层结构对应。本发明通过利用不同层金属之间的形成微电子电容来替换常规工艺中的PIP或者MIM电容，减少了掩膜版层数，降低了芯片成本，利用栅格结构，在减少掩膜版层次的同时，保证了电容的匹配精度。 | ||
| 搜索关键词： | 电容 绝缘层 第二金属层 第一金属层 微电子 掩膜版 半导体芯片 绝缘层结构 常规工艺 基本平行 芯片成本 栅格结构 匹配 替换 金属 保证 | ||
【主权项】：
1.一种微电子电容，其特征在于，包括基本平行设置的第一金属层、第二金属层和绝缘层，所述第一金属层和所述第二金属层位于所述绝缘层的两侧，并和所述绝缘层结合，所述第一金属层和所述第二金属层相对于所述绝缘层结构对应。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于宁波爱芯微电子有限公司，未经宁波爱芯微电子有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201811504358.2/，转载请声明来源钻瓜专利网。
