[发明专利]一种微电子电容在审
| 申请号： | 201811504358.2 | 申请日： | 2018-12-10 |
| 公开（公告）号： | CN109461713A | 公开（公告）日： | 2019-03-12 |
| 发明（设计）人： | 肖建辉;童红杰 | 申请（专利权）人： | 宁波爱芯微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/522 | 分类号： | H01L23/522 |
| 代理公司： | 上海精晟知识产权代理有限公司 31253 | 代理人： | 冯子玲 |
| 地址： | 315800 浙江省宁波市北仑*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 电容 绝缘层 第二金属层 第一金属层 微电子 掩膜版 半导体芯片 绝缘层结构 常规工艺 基本平行 芯片成本 栅格结构 匹配 替换 金属 保证 | ||
1.一种微电子电容，其特征在于，包括基本平行设置的第一金属层、第二金属层和绝缘层，所述第一金属层和所述第二金属层位于所述绝缘层的两侧，并和所述绝缘层结合，所述第一金属层和所述第二金属层相对于所述绝缘层结构对应。
2.如权利要求1所述的微电子电容，其特征在于，所述第一金属层和所述第二金属层结构相同。
3.如权利要求1或2所述的微电子电容，其特征在于，所述第一金属层和所述第二金属层分别与所述绝缘层刻蚀结合，所述第一金属层和所述第二金属层被规则化刻蚀。
4.如权利要求3所述的微电子电容，其特征在于，所述绝缘层包括一层或者多层绝缘子层，所述多层绝缘子层之间沉积结合，所述绝缘子层由氮化硅或者二氧化硅制成。
5.如权利要求3所述的微电子电容，其特征在于，所述第一金属层和所述第二金属层分别被刻蚀为栅格结构，所述栅格结构包括均匀分布的栅格。
6.如权利要求5所述的微电子电容，其特征在于，所述栅格结构的栅格之间设置绝缘体，所述绝缘体由氮化硅或者二氧化硅制成。
7.如权利要求6所述的微电子电容，其特征在于，所述第一金属层和所述第二金属层由铝或者铜制成。
8.一种电路，其特征在于，包括多个单元电路，至少部分的单元电路分别包括如权利要求1-7任一所述的微电子电容。
9.如权利要求8所述的电路，其特征在于，所述电路为传感器电路，存储器电路或者数模/模数转换电路，以及所述单元电路为采集单元电路，存储单元电路或者转换单元电路。
10.如权利要求9所述的电路，其中，所述传感器电路为指纹传感器电路、CMOS传感器电路、红外成像传感器电路；以及所述采集单元电路为像素采集单元电路或图像采集单元电路。
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