[发明专利]基于VO2

摘要

基于VO2薄膜的热致变色智能热控器件的制备方法，它属于智能材料微纳结构器件制备领域。本发明要解决现有VO2薄膜高温的反射较高，导致基于VO2的智能热控器件的高温发射率较低的问题。基于VO2薄膜的热致变色智能热控器件自下而上依次由高反射金属基底层、微纳结构VO2层和保护层组成；或基于VO2薄膜的热致变色智能热控器件自下而上依次由半导体基底层、红外高反射层、微纳结构VO2层和保护层组成。制备方法：一、清洗基片；二、VO2薄膜制备；三、微纳结构加工；四、保护层沉积。本发明用于基于VO2薄膜的热致变色智能热控器件及其制备。

主权项

1.基于VO2薄膜的热致变色智能热控器件，其特征在于基于VO2薄膜的热致变色智能热控器件自下而上依次由高反射金属基底层、微纳结构VO2层和保护层组成；所述的微纳结构VO2层由多个微纳结构单元组成，且所述的多个微纳结构单元均布设置于高反射金属基底层上层表面；所述的微纳结构单元形状为圆锥形、圆柱形或长方体；当所述的微纳结构单元形状为圆锥形时，圆锥形底面直径为100nm～1000nm，高度为20nm～1000nm，圆锥角为10°～120°，且相邻微纳结构单元紧密排列；当所述的微纳结构单元形状为圆柱形时，圆柱形直径为100nm～1000nm，高度为20nm～1000nm，且多个微纳结构单元底面积占高反射金属基底层上层表面积的10％～90％；当所述的微纳结构单元形状为长方体时，长方体底面为正方形，且正方形边长为100nm～1000nm，高度为20nm～1000nm，且多个微纳结构单元底面积占高反射金属基底层上层表面积的10％～90％。