[发明专利]基于VO2有效

专利信息
申请号: 201811503365.0 申请日: 2018-12-10
公开(公告)号: CN109437303B 公开(公告)日: 2020-11-13
发明(设计)人: 李垚;豆书亮;赵九蓬;任飞飞;张伟岩;李龙 申请(专利权)人: 哈尔滨工业大学
主分类号: C01G31/02 分类号: C01G31/02
代理公司: 哈尔滨市松花江专利商标事务所 23109 代理人: 岳泉清
地址: 150001 黑龙*** 国省代码: 黑龙江;23
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摘要:
搜索关键词: 基于 vo base sub
【说明书】:

基于VO2薄膜的热致变色智能热控器件的制备方法,它属于智能材料微纳结构器件制备领域。本发明要解决现有VO2薄膜高温的反射较高,导致基于VO2的智能热控器件的高温发射率较低的问题。基于VO2薄膜的热致变色智能热控器件自下而上依次由高反射金属基底层、微纳结构VO2层和保护层组成;或基于VO2薄膜的热致变色智能热控器件自下而上依次由半导体基底层、红外高反射层、微纳结构VO2层和保护层组成。制备方法:一、清洗基片;二、VO2薄膜制备;三、微纳结构加工;四、保护层沉积。本发明用于基于VO2薄膜的热致变色智能热控器件及其制备。

技术领域

本发明属于智能材料微纳结构器件制备领域。

背景技术

VO2是一种热致变色材料,在温度变化时其光学性能能够发生明显变化,具体表现为:低温度时,VO2薄膜在红外波段高透过;高温时,红外光被VO2薄膜反射。VO2这种独特的光学性能非常适合用于温度自适应的智能材料。将VO2薄膜沉积在红外波段高反射的基底上,低温时透过VO2薄膜的红外波段的光被基底反射,由基底和VO2薄膜组成的器件此时整体红外波段高反射,呈低发射率;高温时,VO2薄膜红外高反射,红外光不能透过VO2薄膜,由于VO2薄膜的反射低于高反射的基底,器件整体上发射率变大,从而实现低温低发射,高温高发射的特征,非常适合做智能热控。然而,由于VO2薄膜高温的反射较高,导致基于VO2的智能热控器件的高温发射率较低,发射率变化值仅为0.3,严重制约其在热控领域应用。

发明内容

本发明要解决现有VO2薄膜高温的反射较高,导致基于VO2的智能热控器件的高温发射率较低的问题,而提供基于VO2薄膜的热致变色智能热控器件及其制备方法。

本发明基于VO2薄膜的热致变色智能热控器件自下而上依次由高反射金属基底层、微纳结构VO2层和保护层组成;

所述的微纳结构VO2层由多个微纳结构单元组成,且所述的多个微纳结构单元均布设置于高反射金属基底层上层表面;所述的微纳结构单元形状为圆锥形、圆柱形或长方体;当所述的微纳结构单元形状为圆锥形时,圆锥形底面直径为100nm~1000nm,高度为20nm~1000nm,圆锥角为10°~120°,且相邻微纳结构单元紧密排列;当所述的微纳结构单元形状为圆柱形时,圆柱形直径为100nm~1000nm,高度为20nm~1000nm,且多个微纳结构单元底面积占高反射金属基底层上层表面积的10%~90%;当所述的微纳结构单元形状为长方体时,长方体底面为正方形,且正方形边长为100nm~1000nm,高度为 20nm~1000nm,且多个微纳结构单元底面积占高反射金属基底层上层表面积的10%~90%。

基于VO2薄膜的热致变色智能热控器件的制备方法是按以下步骤进行的:

一、清洗基片:

采用电抛光对高反射金属基底层表面抛光,直至抛光后的高反射金属基底层在2.5微米~25微米的红外波段反射率达到0.7以上,得到预处理后的金属基底层;

二、VO2薄膜制备:

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