[发明专利]一种发光二极管外延片的制造方法在审
| 申请号： | 201811502838.5 | 申请日： | 2018-12-10 |
| 公开（公告）号： | CN109786525A | 公开（公告）日： | 2019-05-21 |
| 发明（设计）人： | 姚振;从颖;胡加辉;李鹏 | 申请（专利权）人： | 华灿光电（浙江）有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/12 | 分类号： | H01L33/12;H01L33/00;H01L33/32 |
| 代理公司： | 北京三高永信知识产权代理有限责任公司 11138 | 代理人： | 徐立 |
| 地址： | 322000 浙江省*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种发光二极管外延片的制造方法，属于半导体技术领域。方法包括：提供一衬底；将衬底放入物理气相沉积设备中，采用物理气相沉积法在衬底上沉积AlN缓冲层；控制AlN缓冲层的沉积电压为100～500V，AlN缓冲层的沉积时间为10～60s，使AlN缓冲层的翘曲度为‑10～‑60um；在AlN缓冲层上依次生长未掺杂的GaN层、N型层、有源层和P型层。AlN缓冲层的翘曲度在特定范围，会驰豫一部分固有的内部应力，相当于有源层的阱层中的部分压应力可以在AlN缓冲层得到释放，从而使得阱层中的压应力减小。阱层中的压应力减小，有利于阱层中富In发光中心的形成，从而可以提高LED的发光效率。 | ||
| 搜索关键词： | 阱层 压应力 衬底 沉积 发光二极管外延 翘曲度 减小 源层 物理气相沉积设备 半导体技术领域 物理气相沉积法 发光效率 发光中心 未掺杂 驰豫 放入 制造 生长 释放 | ||
【主权项】：
1.一种发光二极管外延片的制造方法，其特征在于，所述制造方法包括：提供一衬底；将所述衬底放入物理气相沉积设备中，采用物理气相沉积法在所述衬底上沉积AlN缓冲层；控制所述AlN缓冲层的沉积电压为100～500V，所述AlN缓冲层的沉积时间为10～60s，使所述AlN缓冲层的翘曲度为‑10～‑60um；其中，所述AlN缓冲层的翘曲度为所述AlN缓冲层的中部向靠近所述衬底方向凹陷的最大距离；在所述AlN缓冲层上依次生长未掺杂的GaN层、N型层、有源层和P型层。
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