[发明专利]一种发光二极管外延片的制造方法在审
| 申请号： | 201811502838.5 | 申请日： | 2018-12-10 |
| 公开（公告）号： | CN109786525A | 公开（公告）日： | 2019-05-21 |
| 发明（设计）人： | 姚振;从颖;胡加辉;李鹏 | 申请（专利权）人： | 华灿光电（浙江）有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/12 | 分类号： | H01L33/12;H01L33/00;H01L33/32 |
| 代理公司： | 北京三高永信知识产权代理有限责任公司 11138 | 代理人： | 徐立 |
| 地址： | 322000 浙江省*** | 国省代码： | 浙江;33 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 阱层 压应力 衬底 沉积 发光二极管外延 翘曲度 减小 源层 物理气相沉积设备 半导体技术领域 物理气相沉积法 发光效率 发光中心 未掺杂 驰豫 放入 制造 生长 释放 | ||
1.一种发光二极管外延片的制造方法，其特征在于，所述制造方法包括：
提供一衬底；
将所述衬底放入物理气相沉积设备中，采用物理气相沉积法在所述衬底上沉积AlN缓冲层；控制所述AlN缓冲层的沉积电压为100～500V，所述AlN缓冲层的沉积时间为10～60s，使所述AlN缓冲层的翘曲度为-10～-60um；其中，所述AlN缓冲层的翘曲度为所述AlN缓冲层的中部向靠近所述衬底方向凹陷的最大距离；
在所述AlN缓冲层上依次生长未掺杂的GaN层、N型层、有源层和P型层。
2.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述AlN缓冲层的沉积电压为150～300V。
3.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述AlN缓冲层的沉积时间为20～40s。
4.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述AlN缓冲层的沉积温度为200～800℃。
5.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述AlN缓冲层的沉积温度为400～600℃。
6.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述AlN缓冲层的沉积功率为1000～5000W。
7.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述AlN缓冲层的沉积功率为2000～4000W。
8.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述AlN缓冲层的沉积压力为5～10mtorr。
9.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述AlN缓冲层的厚度为10～30nm。
10.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述AlN缓冲层的厚度为15～30nm。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于华灿光电（浙江）有限公司，未经华灿光电（浙江）有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201811502838.5/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
