[发明专利]一种测试结构及一种后段金属互连可靠性的测试方法

摘要

本发明提供了一种基于多晶硅加热的测试结构以及一种金属互连工艺的可靠性测试方法，采用监测电阻温度系数来替代传统后段金属互连可靠性的测试方法，通过采用局部多晶硅加热方式实现了晶圆级测试和实时在线监测，避免了整片晶圆因烘烤而报废，相比传统测试时间缩短了2个数量级时间。最后结合一套优异的数据分析手段实现了线上金属互连可靠性快速异常诊断和监测，有效地增强了制程开发，产品量产，线上监测等工艺流程。

主权项

1.一种基于多晶硅加热的测试结构，用于测量电阻温度系数TCR，其特征在于，包括多晶硅加热器，P4为电流流入端，P8为电流流出端，通电后多晶硅发热升温；热电阻，由线宽大于1微米的金属线组成，所述金属线缠绕贴附在多晶硅表面，所述热电阻用来、监测所述多晶硅加热器的温度，所述热电阻的测试结构等同于开尔文四端法电阻，P1为电流流入端，P8为电流流出端，P2和P3为电压监测端；后段BEOL测试结构，紧密贴附在多晶硅加热器上，所述BEOL测试结构采用开尔文四端法接入，P5为电流流入端，P8为电流流出端，P6和P7为电压监测端。