[发明专利]一种测试结构及一种后段金属互连可靠性的测试方法在审
| 申请号: | 201811502538.7 | 申请日: | 2018-12-09 |
| 公开(公告)号: | CN109411383A | 公开(公告)日: | 2019-03-01 |
| 发明(设计)人: | 不公告发明人 | 申请(专利权)人: | 枘熠集成电路(上海)有限公司 |
| 主分类号: | H01L21/66 | 分类号: | H01L21/66;H01L23/544;G01R31/28 |
| 代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
| 地址: | 200120 上海市浦东*** | 国省代码: | 上海;31 |
| 权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 金属互连 测试结构 多晶硅 后段 实时在线监测 数据分析手段 晶圆级测试 可靠性测试 测试 传统测试 个数量级 加热方式 监测电阻 时间缩短 温度系数 线上监测 异常诊断 工艺流程 产品量 有效地 烘烤 晶圆 整片 制程 加热 报废 监测 替代 开发 | ||
1.一种基于多晶硅加热的测试结构,用于测量电阻温度系数TCR,其特征在于,包括多晶硅加热器,P4为电流流入端,P8为电流流出端,通电后多晶硅发热升温;热电阻,由线宽大于1微米的金属线组成,所述金属线缠绕贴附在多晶硅表面,所述热电阻用来、监测所述多晶硅加热器的温度,所述热电阻的测试结构等同于开尔文四端法电阻,P1为电流流入端,P8为电流流出端,P2和P3为电压监测端;后段BEOL测试结构,紧密贴附在多晶硅加热器上,所述BEOL测试结构采用开尔文四端法接入,P5为电流流入端,P8为电流流出端,P6和P7为电压监测端。
2.如权利要求1所述的一种基于多晶硅加热的测试结构,其特征在于,所述热电阻被用来监测多晶硅加热器升温获得的温度TT,可由以下公式(1)计算得到:
其中,TT代表当前测试的温度,TA为环境温度,RTT为当前测试时热电阻的阻值,RTA为环境温度下热电阻的阻值,TCRTA为热电阻的常温下TCR值。
3.如权利要求2所述的一种基于多晶硅加热的测试结构,其特征在于,所述BEOL测试结构的常温下的TCR值由以下公式(2)得到:
其中,TCRRA为所述BEOL测试结构的常温下TCR值,RRT为当前测试时BEOL测试结构的阻值,RRA为环境温度下所述BEOL测试结构的阻值,TCRTA为所述热电阻的常温下TCR值。
4.一种包括如权利要求3所述的多晶硅加热测试结构的后段金属互连可靠性测试方法,其特征在于,包括以下步骤:
S1,检查测试部件完整性:在开启测试前,通过对各个部件单独通小电流,监测电压降来判断完好性,并记录当前环境温度TA、热电阻RTA和当前环境温度下BEOL测试结构的初始阻值RRA;
S2,创建程式开始升温:监测当前热电阻阻值RTT,根据上述公式(1)推算出当前测试的温度TT;
S3,持续烘烤,记录数据:保持当前测试温度TT持续烘烤一定时间,然后记录当前测试温度下BEOL测试结构电阻RRT和热电阻阻值RTT;
S4,数据分析:重复步骤S2和S3,记录多组热电阻值,根据上述公式(2)计算出多组BEOL测试结构的TCRRA的值,并绘制所述多组TCRRA随时间变化的偏移率,根据一定时间内TCRRA偏移率的值是否超过预定规格来判断所述BEOL测试结构是否通过可靠性测试。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于枘熠集成电路(上海)有限公司,未经枘熠集成电路(上海)有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201811502538.7/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造





