[发明专利]一种测试结构及一种后段金属互连可靠性的测试方法在审

专利信息
申请号: 201811502538.7 申请日: 2018-12-09
公开(公告)号: CN109411383A 公开(公告)日: 2019-03-01
发明(设计)人: 不公告发明人 申请(专利权)人: 枘熠集成电路(上海)有限公司
主分类号: H01L21/66 分类号: H01L21/66;H01L23/544;G01R31/28
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 200120 上海市浦东*** 国省代码: 上海;31
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摘要:
搜索关键词: 金属互连 测试结构 多晶硅 后段 实时在线监测 数据分析手段 晶圆级测试 可靠性测试 测试 传统测试 个数量级 加热方式 监测电阻 时间缩短 温度系数 线上监测 异常诊断 工艺流程 产品量 有效地 烘烤 晶圆 整片 制程 加热 报废 监测 替代 开发
【权利要求书】:

1.一种基于多晶硅加热的测试结构,用于测量电阻温度系数TCR,其特征在于,包括多晶硅加热器,P4为电流流入端,P8为电流流出端,通电后多晶硅发热升温;热电阻,由线宽大于1微米的金属线组成,所述金属线缠绕贴附在多晶硅表面,所述热电阻用来、监测所述多晶硅加热器的温度,所述热电阻的测试结构等同于开尔文四端法电阻,P1为电流流入端,P8为电流流出端,P2和P3为电压监测端;后段BEOL测试结构,紧密贴附在多晶硅加热器上,所述BEOL测试结构采用开尔文四端法接入,P5为电流流入端,P8为电流流出端,P6和P7为电压监测端。

2.如权利要求1所述的一种基于多晶硅加热的测试结构,其特征在于,所述热电阻被用来监测多晶硅加热器升温获得的温度TT,可由以下公式(1)计算得到:

其中,TT代表当前测试的温度,TA为环境温度,RTT为当前测试时热电阻的阻值,RTA为环境温度下热电阻的阻值,TCRTA为热电阻的常温下TCR值。

3.如权利要求2所述的一种基于多晶硅加热的测试结构,其特征在于,所述BEOL测试结构的常温下的TCR值由以下公式(2)得到:

其中,TCRRA为所述BEOL测试结构的常温下TCR值,RRT为当前测试时BEOL测试结构的阻值,RRA为环境温度下所述BEOL测试结构的阻值,TCRTA为所述热电阻的常温下TCR值。

4.一种包括如权利要求3所述的多晶硅加热测试结构的后段金属互连可靠性测试方法,其特征在于,包括以下步骤:

S1,检查测试部件完整性:在开启测试前,通过对各个部件单独通小电流,监测电压降来判断完好性,并记录当前环境温度TA、热电阻RTA和当前环境温度下BEOL测试结构的初始阻值RRA

S2,创建程式开始升温:监测当前热电阻阻值RTT,根据上述公式(1)推算出当前测试的温度TT

S3,持续烘烤,记录数据:保持当前测试温度TT持续烘烤一定时间,然后记录当前测试温度下BEOL测试结构电阻RRT和热电阻阻值RTT

S4,数据分析:重复步骤S2和S3,记录多组热电阻值,根据上述公式(2)计算出多组BEOL测试结构的TCRRA的值,并绘制所述多组TCRRA随时间变化的偏移率,根据一定时间内TCRRA偏移率的值是否超过预定规格来判断所述BEOL测试结构是否通过可靠性测试。

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