[发明专利]半导体器件制作方法以及半导体器件在审
| 申请号： | 201811495759.6 | 申请日： | 2018-12-07 |
| 公开（公告）号： | CN111293071A | 公开（公告）日： | 2020-06-16 |
| 发明（设计）人： | 胡杏;刘天建;谢岩;邹浩 | 申请（专利权）人： | 武汉新芯集成电路制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H01L23/528 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 屈蘅 |
| 地址： | 430205 湖北*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明提供一种半导体器件制作方法以及半导体器件。在该半导体器件中，隔离层位于第一金属层的表面，包括依次层叠的第一隔离层、第二隔离层、第三隔离层，第一子开孔贯穿第三隔离层和第二隔离层并停止于第一隔离层。该隔离层作为第一金属层的保护层，同时还作为形成第一子开孔刻蚀的终止层，使金属层得到有效保护不易被破坏。进一步的，第一隔离层的厚度可以做薄，有利于减少金属层凸起缺陷；第二隔离层位于第一隔离层的表面，可起缓冲作用，防止应力过大造成的断裂。形成第一子开孔过程中通过三个步骤，不同刻蚀选择比的逐层刻蚀，使第一子开孔(深孔)底部的第一隔离层的表面平整，避免残渣缺陷，进而避免影响TSV连通孔的接触电阻。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 制作方法 以及 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
