[发明专利]半导体器件制作方法以及半导体器件

权利要求书

1.一种半导体器件制作方法，其特征在于，包括：

提供第一晶圆，所述第一晶圆包括第一衬底、位于所述第一衬底的表面的第一介质层第一部分、嵌设于所述第一介质层第一部分中的第一金属层；

形成隔离层，所述隔离层位于所述第一金属层和所述第一介质层第一部分的表面，所述隔离层包括依次层叠的第一隔离层、第二隔离层、第三隔离层；

形成第一介质层第二部分，所述第一介质层第二部分位于所述第三隔离层的表面；

提供第二晶圆，所述第二晶圆包括第二衬底、位于所述第二衬底表面的第二介质层、嵌设于所述第二介质层中的第二金属层，所述第二介质层面向所述第一介质层第二部分键合；以及，

形成第一子开孔，所述第一子开孔贯穿所述第二晶圆、第一介质层第二部分、第三隔离层和第二隔离层并停止于所述第一隔离层，所述第一子开孔位于所述第一金属层的上方；以及，

形成第二子开孔，所述第二子开孔贯穿所述第一隔离层并暴露出所述第一金属层，所述第二子开孔与所述第一子开孔连通。

2.如权利要求1所述的一种半导体器件制作方法，其特征在于，形成第一子开孔的过程包括：

执行第一刻蚀阶段，以使所述第一子开孔贯穿所述第二晶圆和部分预设厚度的所述第一介质层第二部分；以及，

执行第二刻蚀阶段，以所述第一子开孔贯穿剩余厚度的所述第一介质层第二部分、第三隔离层和第二隔离层并停止于所述第一隔离层。

3.如权利要求2所述的一种半导体器件制作方法，其特征在于，所述第二刻蚀阶段包括：

执行第一子步骤，刻蚀去除所述第一子开孔下方的剩余厚度的所述第一介质层第二部分并停止在所述第三隔离层上，其中，第一子步骤所采用的气体对第一介质层第二部分与第三隔离层的刻蚀选择比大于8：1；

执行第二子步骤，刻蚀去除所述第一子开孔下方的第三隔离层并停止在所述第二隔离层上，其中，第二子步骤所采用的刻蚀气体对第三隔离层与第二隔离层的刻蚀选择比大于16：1；以及

执行第三子步骤，刻蚀去除所述第一子开孔下方的所述第二隔离层并停止在所述第一隔离层上，其中，第三子步骤所采用的刻蚀气体对第二隔离层与第一隔离层的刻蚀选择比大于8：1。

4.如权利要求1至3中任一项所述的一种半导体器件制作方法，其特征在于，所述第一隔离层的厚度为400埃～1600埃，所述第二隔离层的厚度为3000埃～5000埃，所述第三隔离层的厚度为2000埃～5000埃。

5.如权利要求1至3中任一项所述的一种半导体器件制作方法，其特征在于，所述第一隔离层和所述第三隔离层为氮化硅层，所述第二隔离层为氧化硅层。

6.如权利要求1至3中任一项所述的一种半导体器件制作方法，其特征在于，所述第二衬底的背面形成有第二钝化层。

7.如权利要求6所述的一种半导体器件制作方法，其特征在于，提供第二晶圆之后，形成第一子开孔之前还包括：

形成开口，所述开口贯穿所述第二钝化层、第二衬底和部分厚度的第二介质层，所述开口位于所述第二金属层的上方。

8.如权利要求7所述的一种半导体器件制作方法，其特征在于，形成开口之后还包括：

形成浅沟槽，所述浅沟槽贯穿部分厚度的所述第二钝化层并分别与所述开口和第一子开孔连通；

执行干法刻蚀工艺，去除开口底部的第二介质层并暴露出第二金属层，同时去除第一子开孔底部的第一隔离层并暴露出第一金属层，形成所述第二子开孔；以及，

形成互连层，所述互连层通过所述浅沟槽、开口、第一子开孔以及第二子开孔与所述第一金属层和第二金属层电连接。