[发明专利]读取数据的方法、控制存储控制器的方法以及存贮设备在审

专利信息
申请号: 201811493156.2 申请日: 2018-12-07
公开(公告)号: CN110010184A 公开(公告)日: 2019-07-12
发明(设计)人: 金志秀;边大锡 申请(专利权)人: 三星电子株式会社
主分类号: G11C16/26 分类号: G11C16/26;G11C16/34
代理公司: 北京市柳沈律师事务所 11105 代理人: 张泓
地址: 韩国*** 国省代码: 韩国;KR
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摘要: 一种操作存储设备来读取数据的方法可包括:在与第一读取操作有关的第一读取时间间隔中,确定包括在多个物理存储页之中的第一物理存储页中的目标逻辑存储页的最高有效编程状态的阈值电压分布,其中,第一读取操作是读取第一物理存储页的目标逻辑存储页的操作;向存储控制器发送分布确定结果,其中,分布确定结果与阈值电压分布有关;从存储控制器接收基于分布确定结果而校正的偏移电平;以及在对所述多个物理存储页之中的第二物理存储页执行第二读取操作之前基于偏移电平来调整读取电压。
搜索关键词: 物理存储 读取操作 读取 阈值电压分布 存储控制器 目标逻辑 偏移电平 存储页 编程状态 操作存储 存贮设备 读取电压 控制存储 控制器 校正 发送
【主权项】:
1.一种操作存储设备来读取数据的方法,其中,所述存储设备包括多个物理存储页,所述多个物理存储页被连接到多条字线之中的每一条字线,所述方法包括:在与第一读取操作有关的第一读取时间间隔中,确定包括在所述多个物理存储页之中的第一物理存储页中的目标逻辑存储页的最高有效编程状态的阈值电压分布,第一读取操作是读取第一物理存储页的目标逻辑存储页的操作;向存储控制器发送分布确定结果,分布确定结果与阈值电压分布有关;从存储控制器接收基于分布确定结果而校正的偏移电平;以及在对所述多个物理存储页之中的第二物理存储页执行第二读取操作之前基于偏移电平来调整读取电压。
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