[发明专利]读取数据的方法、控制存储控制器的方法以及存贮设备

说明书

一种操作存储设备来读取数据的方法可包括：在与第一读取操作有关的第一读取时间间隔中，确定包括在多个物理存储页之中的第一物理存储页中的目标逻辑存储页的最高有效编程状态的阈值电压分布，其中，第一读取操作是读取第一物理存储页的目标逻辑存储页的操作；向存储控制器发送分布确定结果，其中，分布确定结果与阈值电压分布有关；从存储控制器接收基于分布确定结果而校正的偏移电平；以及在对所述多个物理存储页之中的第二物理存储页执行第二读取操作之前基于偏移电平来调整读取电压。

对相关申请的交叉引用

本申请要求于2017年12月27日提交到韩国知识产权局的第10-2017-0181442号韩国专利申请的权益，所述韩国专利申请的公开内容通过引用全部合并于此。

技术领域

本发明构思的示例性实施例涉及存储设备、存储控制器和/或包括存储设备和存储控制器的存贮设备。例如，至少一些实例实施例涉及一种操作存储设备来读取数据的方法、一种控制存储控制器的方法和/或一种包括存储设备和存储控制器的存贮设备。

背景技术

半导体存储设备可被划分为当电源关断时丢失其中存储的数据的易失性存储设备和不丢失其中存储的数据的非易失性存储器。易失性半导体存储设备可具有快速的读取速度和写入速度，但是当外部电源被切断时，其中存储的内容会丢失，非易失性存储设备与易失性半导体存储设备相比在读取和写入方面会比较慢，但即使当外部电源被切断时也可保存其中的内容。

作为半导体存储设备之中的非易失性存储设备的示例，在闪存设备中，随着存储在一个存储单元(cell)中的数据的位数增加，会期望更精确地形成包括在闪存设备中的存储单元的阈值电压分布。例如，当在与预测位置不同的位置形成阈值电压分布时，会发生诸如读取错误的问题。

发明内容

本发明构思的示例实施例提供一种操作存储设备来读取数据的方法、一种控制存储控制器的方法以及一种包括存储设备和存储控制器的存贮设备。例如，至少一些示例实施例涉及一种用于即使在存储单元的阈值电压分布不同于预测阈值电压分布的情况下也执行高可靠性读取操作的方法和设备。

根据本发明构思的一些示例实施例，提供一种操作存储设备来读取数据的方法，其中，所述存储设备包括多个物理存储页，所述多个物理存储页被连接到多条字线之中的每一条字线。在一些示例实施例中，所述方法可包括：在与第一读取操作有关的第一读取时间间隔，确定包括在所述多个物理存储页之中的第一物理存储页中的目标逻辑存储页的最高有效编程状态(most significant program state)的阈值电压分布，其中，第一读取操作是读取第一物理存储页的目标逻辑存储页的操作；向存储控制器发送分布确定结果，其中，分布确定结果涉及阈值电压分布；从存储控制器接收基于分布确定结果而校正的偏移电平；以及在对所述多个物理存储页之中的第二物理存储页执行第二读取操作之前基于偏移电平来调整读取电压。

根据本发明构思的一些示例实施例，提供一种操作存储控制器来控制存储设备的方法，其中，所述存储设备包括多个物理存储页，所述多个物理存储页被连接到多条字线之中的每一条字线。在一些示例实施例中，所述方法可包括：控制存储设备来对所述多个物理存储页之中的第一物理存储页的目标逻辑存储页执行第一读取操作；从存储设备接收目标逻辑存储页的最高有效编程状态的分布确定结果；基于分布确定结果来确定偏移电平补偿值；基于偏移电平补偿值来更新偏移电平信息以产生更新的偏移电平信息；以及控制存储设备来基于更新的偏移电平信息对所述多个物理存储页之中的第二物理存储页执行第二读取操作。

根据本发明构思的一些示例实施例，提供一种存贮设备。在一些示例实施例中，存贮设备可包括：存储设备，被配置为每次对包括在物理存储页中的目标逻辑存储页执行读取操作时，确定包括在物理存储页中的存储单元的目标逻辑存储页的最高有效编程状态的阈值电压分布；以及存储控制器，被配置为从存储设备接收分布确定结果，基于从存储设备接收的分布确定结果来更新偏移电平信息以产生更新的偏移电平信息，并基于更新的偏移电平信息来控制存储设备的读取操作。