[发明专利]一种由分数阶电容构成的三次非线性磁控忆阻电路

摘要

本发明公开发表了一种由分数阶电容构成的三次非线性磁控忆阻电路，包括运算放大器O1，运算放大器O1的负输入端连接电阻R0的一端并共同连接到外加正弦电压源，电阻R0的的另一端接地，运算放大器O1的正输入端直接与输出端相连，运算放大器O1的输出端还通过电阻R1与运算放大器O2的负输入端连接，运算放大器O2的负输入端与运算放大器O2的输出端通过分数阶电容Cq连接，运算放大器O2的正输入端接地，运算放大器O2的输出端与乘法器M1的两个输入端分别连接，乘法器M1的输出端与乘法器M2的一个输入端连接，乘法器M2的另一个输入端连接外加正弦电压源，所述乘法器M2的输出端连接有反相器，提供了一种可以进行数值仿真和电路仿真的的三次非线性磁控忆阻器电路。

主权项

1.一种由分数阶电容构成的三次非线性磁控忆阻电路，其特征在于，包括运算放大器O₁，所述运算放大器O₁的负输入端连接电阻R₀的一端并共同连接到外加正弦电压源，所述电阻R₀的的另一端接地，所述运算放大器O₁的正输入端直接与输出端相连，所述运算放大器O₁的输出端还通过电阻R₁与运算放大器O₂的负输入端连接，所述运算放大器O₂的负输入端与运算放大器O₂的输出端通过分数阶电容C_q连接，所述运算放大器O₂的正输入端接地，所述运算放大器O₂的输出端与乘法器M₁的两个输入端分别连接，所述乘法器M₁的输出端与乘法器M₂的一个输入端连接，所述乘法器M₂的另一个输入端连接外加正弦电压源，所述乘法器M₂的输出端连接有反相器。