[发明专利]一种由分数阶电容构成的三次非线性磁控忆阻电路

说明书

本发明公开发表了一种由分数阶电容构成的三次非线性磁控忆阻电路，包括运算放大器O₁，运算放大器O₁的负输入端连接电阻R₀的一端并共同连接到外加正弦电压源，电阻R₀的的另一端接地，运算放大器O₁的正输入端直接与输出端相连，运算放大器O₁的输出端还通过电阻R₁与运算放大器O₂的负输入端连接，运算放大器O₂的负输入端与运算放大器O₂的输出端通过分数阶电容C_q连接，运算放大器O₂的正输入端接地，运算放大器O₂的输出端与乘法器M₁的两个输入端分别连接，乘法器M₁的输出端与乘法器M₂的一个输入端连接，乘法器M₂的另一个输入端连接外加正弦电压源，所述乘法器M₂的输出端连接有反相器，提供了一种可以进行数值仿真和电路仿真的的三次非线性磁控忆阻器电路。

技术领域

本发明属于分数阶磁控忆阻器电路技术领域，具体涉及一种由分数阶电容构成的三次非线性磁控忆阻电路。

背景技术

忆阻器是一种表示磁通与电荷关系的电路器件，具有电阻的量纲，但和电阻不同的是，忆阻的阻值是由流经它的电荷确定，有记忆电荷的作用。2008年，惠普公司的研究人员首次做出纳米忆阻器件，掀起忆阻研究热潮。纳米忆阻器件的出现，有望实现非易失性随机存储器。并且，基于忆阻的随机存储器的集成度，功耗，读写速度都要比传统的随机存储器优越。此外，忆阻是硬件实现人工神经网络突触的最好方式。由于忆阻的非线性性质，可以产生混沌电路，从而在保密通信中也有很多应用。

分数阶微积分，作为整数阶微积分的扩展，能够更好的反映和描述实际的物体。通过将模型推广到分数阶，可以得到新的分数阶模型，获得更丰富的动力学行为和混沌行为。

发明内容

本发明的目的是提供一种由分数阶电容构成的三次非线性磁控忆阻电路，提供了一种可以进行数值仿真和电路仿真的的三次非线性磁控忆阻器电路。

本发明所采用的技术方案是，一种由分数阶电容构成的三次非线性磁控忆阻电路，包括运算放大器O₁，运算放大器O₁的负输入端连接电阻R₀的一端并共同连接外加正弦电压源，电阻R₀的的另一端接地，运算放大器O₁的正输入端直接与输出端相连，运算放大器O₁的输出端还通过电阻R₁与运算放大器O₂的负输入端连接，运算放大器O₂的负输入端与运算放大器O₂的输出端通过分数阶电容C_q连接，运算放大器O₂的正输入端接地，运算放大器O₂的输出端与乘法器M₁的两个输入端分别连接，乘法器M₁的输出端与乘法器M₂的一个输入端连接，乘法器M₂的另一个输入端连接外加正弦电压源，所述乘法器M₂的输出端连接有反相器。

本发明的特点还在于：

反相器包括与所述乘法器M₂的输出端连接的运算放大器O₃，运算放大器O₃的正输入端通过电阻R₂与所述乘法器M₂的输出端连接，运算放大器O₃的负输入端与外加正弦电压源连接，运算放大器O₃的负输入端与运算放大器O₃的输出端之间通过电阻R₃连接，运算放大器O₃的正输入端与运算放大器O₃的输出端之间由电阻R₄连接。