[发明专利]用于测试半导体裸片的测试探针设备及相关系统及方法有效
| 申请号： | 201811488517.4 | 申请日： | 2018-12-06 |
| 公开（公告）号： | CN110031744B | 公开（公告）日： | 2022-04-26 |
| 发明（设计）人： | T·M·林登贝格;K·J·博萨尔特;J·S·哈克;C·S·蒂瓦里 | 申请（专利权）人： | 美光科技公司 |
| 主分类号： | G01R31/28 | 分类号： | G01R31/28 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 王龙 |
| 地址： | 美国爱*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本申请案涉及一种用于测试半导体裸片的测试探针设备及相关系统及方法。所述探针可包含探针接口及用于支撑包括3DI结构的至少一个裸片的载体。所述探针接口可为可定位在所述至少一个裸片的第一侧上且包含电压源及耦合到所述电压源的至少一个第一电感器。电压传感器及耦合到所述电压传感器的至少一个第二电感器可经安置在所述至少一个裸片的第二相对侧上。所述探针接口的所述电压源可经由所述至少一个第一导体在所述至少一个裸片的所述3DI结构内电感性地引起电压。所述电压传感器可经由所述至少一个第二电感器感测所述至少一个3DI结构内的电压。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 测试 半导体 探针 设备 相关 系统 方法 | ||
【主权项】：
1.一种用于测试至少一个裸片的测试探针设备，所述测试探针设备包括：至少一个第一电感器，其定位在所述至少一个裸片的至少一个3DI结构的第一侧上；电压源，其可操作地耦合到所述至少一个第一电感器；至少一个第二电感器，其定位在所述至少一个裸片的所述至少一个3DI结构的第二相对侧上；及电压传感器，其可操作地耦合到所述至少一个第二电感器；其中所述至少一个第一电感器经配置以响应于所述电压源生成磁场以在所述3DI结构内引起电压，且所述电压传感器经配置以经由所述至少一个第二电感器检测所述3DI结构内的电压。
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