[发明专利]用于测试半导体裸片的测试探针设备及相关系统及方法有效
申请号: | 201811488517.4 | 申请日: | 2018-12-06 |
公开(公告)号: | CN110031744B | 公开(公告)日: | 2022-04-26 |
发明(设计)人: | T·M·林登贝格;K·J·博萨尔特;J·S·哈克;C·S·蒂瓦里 | 申请(专利权)人: | 美光科技公司 |
主分类号: | G01R31/28 | 分类号: | G01R31/28 |
代理公司: | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人: | 王龙 |
地址: | 美国爱*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 用于 测试 半导体 探针 设备 相关 系统 方法 | ||
1.一种用于测试至少一个裸片的测试探针设备,所述测试探针设备包括:
至少一个第一电感器,其定位在所述至少一个裸片的至少一个3DI结构的第一侧上;
电压源,其可操作地耦合到所述至少一个第一电感器;
至少一个第二电感器,其定位在所述至少一个裸片的所述至少一个3DI结构的第二相对侧上;
电压传感器,其可操作地耦合到所述至少一个第二电感器;及
测试控制器,其可操作地耦合到所述至少一个第一电感器及所述至少一个第二电感器;
其中所述至少一个第一电感器经配置以响应于所述电压源生成磁场以在所述3DI结构内引起电压,且所述电压传感器经配置以经由所述至少一个第二电感器检测跨越所述3DI结构的电压,
其中所述测试控制器经配置以基于经检测的电压而确定所述至少一个3DI结构的电性能数据,且基于所述电性能数据而确定所述至少一个裸片的所述至少一个3DI结构是否包含影响所述至少一个裸片的性能的一或多个缺陷。
2.根据权利要求1所述的测试探针设备,其中所述至少一个第一电感器包括可操作地耦合到所述电压源的单个第一电感器,且其中所述至少一个第二电感器包括可操作地耦合到所述电压传感器的单个第二电感器。
3.根据权利要求1所述的测试探针设备,其中所述至少一个第一电感器包括第一电感器阵列,其耦合到所述电压源且与所述至少一个裸片的多个3DI结构相关,且其中所述至少一个第二电感器包括第二电感器阵列,其耦合到所述电压传感器且对应于所述第一电感器阵列。
4.根据权利要求1所述的测试探针设备,其中所述至少一个第一电感器由拾取臂承载。
5.根据权利要求1所述的测试探针设备,其中所述至少一个第一电感器包括电压偏置探针卡。
6.根据权利要求1所述的测试探针设备,其进一步包括:
第一电介质材料主体,其至少部分环绕所述至少一个第一电感器的至少一第一远尖端;及
第二电介质材料主体,其至少基本上环绕所述至少一个第二电感器的至少一第二远尖端。
7.一种用于测试晶片的裸片的测试探针系统,所述测试探针系统包括:
第一探针接口,其定位在包括3DI结构的所述晶片的至少一个裸片的第一侧上,所述第一探针接口包括:
电压源;及
至少一个第一电感器,其可操作地耦合到所述电压源;及
载体,其用于在所述载体的与所述第一探针接口相对的侧上支撑所述晶片;
第二探针接口,其在所述载体的与所述第一探针接口相对的侧上,所述第二探针接口包括:
电压传感器;及
至少一个第二电感器,其可操作地耦合到所述电压传感器;及
测试控制器,其可操作地耦合到所述第一探针接口及所述第二探针接口,
其中所述第一探针接口的所述电压源经配置以经由所述至少一个第一电感器在所述裸片的至少一个3DI结构内电感性地引起电压,且其中所述载体的所述电压传感器经配置以经由所述至少一个第二电感器检测跨越所述至少一个3DI结构的电压,
其中所述测试控制器经配置以基于经检测的电压而确定所述裸片的所述至少一个3DI结构的电性能数据,且基于所确定的电性能数据而确定所述裸片的所述至少一个3DI结构是否包含影响所述裸片的性能的一或多个缺陷。
8.根据权利要求7所述的测试探针系统,其中所述第一探针接口包括探针卡,其具有与所述晶片的至少一个裸片的3DI结构图案相关且可操作地耦合到所述电压源的第一电感器阵列。
9.根据权利要求7所述的测试探针系统,其中所述至少一个第二电感器包括电感器阵列,其与所述晶片的至少一个裸片的3DI结构图案相关且可操作地耦合到所述电压传感器,所述电感器阵列由所述载体支撑。
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