[发明专利]基于m面BeMgZnO薄膜的自发极化增强型光电探测器及其制备方法

摘要

本发明公开了一种基于m面BeMgZnO薄膜的自发极化增强型光电探测器及其制备方法。本发明的探测器从下至上依次包括m面蓝宝石衬底、m面取向的BeMgZnO四元合金薄膜层、一对平行金属电极，其中：所述平行金属电极垂直于所述BeMgZnO四元合金薄膜的c轴方向。本发明的光电探测器当电极上所加的电场与内部自发极化场的方向相同时，此时内部的极化场将与外电场叠加，协同增强载流子的分离和传输，有效的提高光探测器的响应速度。另外，本发明探测器为MSM构造，结构简单，衬底和BeMgZnO薄膜层之间未设置缓冲层，且制备工艺简单，操作方便，原料用量较少，制作成本低廉，易于生产，有利于产业化应用。

主权项

1.基于m面BeMgZnO薄膜的自发极化增强型光电探测器，其特征在于：所述探测器从下至上依次包括m面蓝宝石衬底、m面取向的BeMgZnO四元合金薄膜层、一对平行金属电极，其中：所述平行金属电极垂直于所述BeMgZnO四元合金薄膜的c轴方向。