[发明专利]形成氮化硅（SiN）膜和具有SiN膜的半导体器件的方法有效
| 申请号： | 201811486114.6 | 申请日： | 2018-12-06 |
| 公开（公告）号： | CN109881177B | 公开（公告）日： | 2022-05-17 |
| 发明（设计）人： | 住吉和英 | 申请（专利权）人： | 住友电气工业株式会社 |
| 主分类号： | C23C16/34 | 分类号： | C23C16/34;C23C16/455;H01L21/02 |
| 代理公司： | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人： | 张苏娜;樊晓焕 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： |
本发明披露了一种用于氮化物半导体材料的低压化学气相沉积(LPCVD)技术的顺序。所述顺序包括如下步骤：将炉内温度设定为750℃至900℃；将炉内气氛置换为氨气(NH |
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| 搜索关键词： | 形成 氮化 sin 具有 半导体器件 方法 | ||
【主权项】：
1.一种通过低压化学气相沉积(LPCVD)技术在氮化物半导体层上沉积氮化硅(SiN)膜的方法，该方法包括如下步骤：将LPCVD炉内的温度设定为高于750℃但低于900℃；将所述LPCVD炉内的气氛置换为氨气(NH3)气氛；在仅氨气(NH3)流动的情况下，将所述LPCVD炉内的压力设定为第一压力；通过在所述第一压力下供给二氯硅烷(SiH2Cl2)从而沉积所述SiN膜；以及通过将压力改为高于所述第一压力的第二压力，从而随后沉积所述SiN膜，其中所述第一压力为所述第二压力的60％以上。
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C23 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
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