[发明专利]形成氮化硅（SiN）膜和具有SiN膜的半导体器件的方法

权利要求书

1.一种通过低压化学气相沉积(LPCVD)技术在氮化物半导体层上沉积氮化硅(SiN)膜的方法，该方法包括如下步骤：

将LPCVD炉内的温度设定为高于750℃但低于900℃；

将所述LPCVD炉内的气氛置换为氨气(NH₃)气氛，同时将所述炉内的压力升至第一压力；

在仅氨气(NH₃)流动的情况下，将所述LPCVD炉内的压力设定为所述第一压力；

通过在所述第一压力下供给二氯硅烷(SiH₂Cl₂)从而沉积所述SiN膜；以及

通过将压力改为高于所述第一压力的第二压力，从而随后沉积所述SiN膜，

其中所述第一压力为所述第二压力的60％以上，

成膜后的所述SiN膜中的硅与氮之比大于3/4。

2.根据权利要求1所述的方法，

其中在所述第一压力下沉积所述SiN膜的步骤沉积至少2nm的所述SiN膜。

3.根据权利要求1所述的方法，

其中温度设定步骤在所述LPCVD炉内的氮气(N₂)气氛下进行。

4.根据权利要求1所述的方法，

其中将所述气氛置换为氨气气氛的步骤包括如下步骤：

将所述LPCVD炉抽空至压力小于1Pa，以及

在所述LPCVD炉内供给氨气(NH₃)。

5.根据权利要求1所述的方法，

其中沉积所述SiN膜的步骤包括如下步骤：在维持所述LPCVD炉内的压力为所述第一压力的同时，增加二氯硅烷(SiH₂Cl₂)的供给，同时减少氨气(NH₃)的供给。

6.根据权利要求1所述的方法，

其中随后沉积所述SiN膜的步骤将氨气(NH₃)和二氯硅烷(SiH₂Cl₂)的供给保持为等于沉积所述SiN膜的步骤结束时的NH₃和SiH₂Cl₂的供给。

7.一种形成氮化物半导体器件的方法，包括如下步骤：

在衬底上形成半导体堆叠体，所述半导体堆叠体包括氮化物半导体层；

通过低压化学气相沉积(LPCVD)技术，在所述半导体堆叠体上形成由氮化硅(SiN)制成的钝化膜；

通过在所述钝化膜中形成相应的开口，从而在所述半导体堆叠体上形成源极和漏极；以及

通过在所述钝化膜中形成开口，从而在所述半导体堆叠体上形成栅极，

其中形成所述钝化膜的步骤包括如下步骤：

将LPCVD炉内的温度设定为高于750℃但低于900℃；

将所述LPCVD炉内的气氛置换为氨气(NH₃)气氛，同时将所述炉内的压力升至第一压力；

在仅氨气(NH₃)流动的情况下，将所述LPCVD炉内的压力设定为所述第一压力；

通过在所述第一压力下供给二氯硅烷(SiH₂Cl₂)从而沉积所述SiN膜；以及

通过将压力改为高于所述第一压力的第二压力，从而随后沉积所述SiN膜，

其中所述第一压力为所述第二压力的60％以上，

成膜后的所述SiN膜中的硅与氮之比大于3/4。

8.根据权利要求7所述的方法，

其中在所述第一压力下沉积所述SiN膜的步骤沉积至少2nm的所述SiN膜。

9.根据权利要求7所述的方法，

其中温度设定步骤在所述LPCVD炉内的氮气(N₂)气氛下进行。