[发明专利]一种制备高迁移率碳化硅基石墨烯材料的方法有效
| 申请号： | 201811477126.2 | 申请日： | 2018-12-05 |
| 公开（公告）号： | CN109399620B | 公开（公告）日： | 2020-10-09 |
| 发明（设计）人： | 刘庆彬;蔚翠;何泽召;高学栋;郭建超;周闯杰;冯志红 | 申请（专利权）人： | 中国电子科技集团公司第十三研究所 |
| 主分类号： | C01B32/186 | 分类号： | C01B32/186 |
| 代理公司： | 石家庄国为知识产权事务所 13120 | 代理人： | 郝伟 |
| 地址： | 050051 *** | 国省代码： | 河北;13 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种制备高迁移率碳化硅基石墨烯材料的方法，其是在碳化硅衬底上通过化学气相沉积进行石墨烯材料的生长，以氢气和氩气作为载气，通入气态碳源、氮气和气态乙醇，在1400‑1800℃、500‑1000mbar压力下生长1‑100min，制得所述高迁移率碳化硅基石墨烯材料。本发明方法制得的石墨烯材料表面褶皱密度低，载流子迁移率高，方块电阻不均匀性低。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 制备 迁移率 碳化硅 基石 材料 方法 | ||
【主权项】：
1.一种制备高迁移率碳化硅基石墨烯材料的方法，其特征在于：在碳化硅衬底上通过化学气相沉积进行石墨烯材料的生长，以氢气和氩气作为载气，通入气态碳源、氮气和气态乙醇，在1400‑1800℃、500‑1000mbar压力下生长1‑100min，制得所述高迁移率碳化硅基石墨烯材料。
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