[发明专利]一种制备高迁移率碳化硅基石墨烯材料的方法有效
| 申请号： | 201811477126.2 | 申请日： | 2018-12-05 |
| 公开（公告）号： | CN109399620B | 公开（公告）日： | 2020-10-09 |
| 发明（设计）人： | 刘庆彬;蔚翠;何泽召;高学栋;郭建超;周闯杰;冯志红 | 申请（专利权）人： | 中国电子科技集团公司第十三研究所 |
| 主分类号： | C01B32/186 | 分类号： | C01B32/186 |
| 代理公司： | 石家庄国为知识产权事务所 13120 | 代理人： | 郝伟 |
| 地址： | 050051 *** | 国省代码： | 河北;13 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 制备 迁移率 碳化硅 基石 材料 方法 | ||
1.一种制备高迁移率碳化硅基石墨烯材料的方法，其特征在于：在碳化硅衬底上通过化学气相沉积进行石墨烯材料的生长，以氢气和氩气作为载气，通入气态碳源、氮气和气态乙醇，在1400-1800℃、500-1000mbar压力下生长1-100min，制得所述高迁移率碳化硅基石墨烯材料；
所述气态碳源为甲烷、乙烷、乙烯、乙炔或丙烷，其流量为0.001-0.2L/min；
所述氮气的流量为0.05-1L/min；
所述气态乙醇的流量为0.001-1L/min；
所述生长过程结束后，停止氢气、气态碳源和氮气，通入氩气，保持压力不变，在氩气环境下降至室温。
2.如权利要求1所述的制备高迁移率碳化硅基石墨烯材料的方法，其特征在于：所述绝缘衬底经清洗干燥后放入化学气相沉积设备中，抽真空至≤10-4mbar。
3.如权利要求2所述的制备高迁移率碳化硅基石墨烯材料的方法，其特征在于：所述绝缘衬底的清洗干燥方法为：绝缘衬底分别用浓硫酸、王水和氢氟酸溶液加热清洗，去离子水冲洗，氮气枪吹干后放在防尘装置内，在烘箱中干燥。
4.如权利要求3所述的制备高迁移率碳化硅基石墨烯材料的方法，其特征在于：将真空环境升温至500-1100℃，以去除衬底表面吸附气体。
5.如权利要求1所述的制备高迁移率碳化硅基石墨烯材料的方法，其特征在于：氩气流量为1-20L/min，氢气流量为1-20L/min。
6.如权利要求1所述的制备高迁移率碳化硅基石墨烯材料的方法，其特征在于：C/H比为0.01％-1％，C/H比为气态碳源和氢气的流量之比。
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