[发明专利]半导体装置

摘要

本发明提供一种半导体装置，其降低在二极管区域与IGBT区域之间的边界附近处对半导体基板施加的负载。该半导体装置具有半导体基板。半导体基板具有与集电极区重叠的IGBT区域以及与阴极区重叠的二极管区域。半导体基板具有：横跨从IGBT区域至二极管区域而分布的漂移区；配置在IGBT区域内的体区、体接触区以及发射极区；和配置在二极管区域内的阳极区以及阳极接触区。体区具有第一体区和第二体区，该第二体区的p型杂质浓度与第一体区以及阳极区相比较低。第二体区与阳极区相邻。第一体区在第二体区的阳极区侧的相反侧与第二体区相邻。

主权项

1.一种半导体装置，其具有：半导体基板；沟槽，其设置在所述半导体基板的上表面；栅极绝缘膜，其配置在所述沟槽内；栅极，其配置在所述沟槽内，并通过所述栅极绝缘膜相对于所述半导体基板绝缘；上部电极，其与所述上表面相接；以及下部电极，其与所述半导体基板的下表面相接，所述半导体基板在与所述下部电极相接的范围内具备p型集电极区和n型阴极区，在沿着所述半导体基板的厚度方向俯视观察所述半导体基板时，与所述集电极区重叠的半导体区域是IGBT区域，与所述阴极区重叠的半导体区域是二极管区域，所述沟槽设置在所述IGBT区域内，所述半导体基板具有：漂移区，其横跨从所述IGBT区域至所述二极管区域而分布，配置在所述集电极区的上方以及所述阴极区的上方，并与所述栅极绝缘膜相接；p型体区，其配置在所述IGBT区域内的所述漂移区的上方，并与所述栅极绝缘膜相接；p型体接触区，其配置在所述体区的上方，与所述上部电极相接，其p型杂质浓度与所述体区相比更高；n型发射极区，其配置在所述体区的上方，与所述上部电极相接，也与所述栅极绝缘膜相接，与所述漂移区之间隔着所述体区；p型阳极区，其配置在所述二极管区域内的所述漂移区的上方；以及p型阳极接触区，其配置在所述阳极区的上方，与所述上部电极相接，p型杂质浓度与所述阳极区相比更高，所述体区具有第一体区及第二体区，该第二体区与所述第一体区以及所述阳极区相比，其p型杂质浓度较低，所述第二体区与所述阳极区相邻，所述第一体区在所述第二体区的所述阳极区侧的相反侧与所述第二体区相邻。