[发明专利]半导体装置

权利要求书

1.一种半导体装置，

其具有：半导体基板；

多个沟槽，其设置在所述半导体基板的上表面；

栅极绝缘膜，其配置在所述多个沟槽内；

栅极，其配置在所述多个沟槽内，并通过所述栅极绝缘膜相对于所述半导体基板绝缘；

上部电极，其与所述上表面相接；以及

下部电极，其与所述半导体基板的下表面相接，

所述半导体基板在与所述下部电极相接的范围内具备p型集电极区和n型阴极区，

在沿着所述半导体基板的厚度方向俯视观察所述半导体基板时，与所述集电极区重叠的半导体区域是IGBT区域，与所述阴极区重叠的半导体区域是二极管区域，

所述多个沟槽具有设置在所述IGBT区域内的多个第一沟槽、和设置于所述IGBT区域与所述二极管区域的边界的第二沟槽，

所述半导体基板具有：

漂移区，其横跨从所述IGBT区域至所述二极管区域而分布，配置在所述集电极区的上方以及所述阴极区的上方，并与所述多个沟槽内的所述栅极绝缘膜相接；

p型体区，其配置在所述IGBT区域内的所述漂移区的上方，并与所述栅极绝缘膜相接；

p型体接触区，其配置在所述体区的上方，与所述上部电极相接，其p型杂质浓度与所述体区相比更高；

n型发射极区，其配置在所述体区的上方，与所述上部电极相接，也与所述栅极绝缘膜相接，与所述漂移区之间隔着所述体区；

p型阳极区，其配置在所述二极管区域内的所述漂移区的上方；以及

p型阳极接触区，其配置在所述阳极区的上方，与所述上部电极相接，p型杂质浓度与所述阳极区相比更高，

所述体区由所述多个沟槽划分出第一体区及第二体区，

所述第一体区夹在2个所述第一沟槽之间，

所述第二体区夹在所述第一沟槽与所述第二沟槽之间，

该第二体区与所述第一体区以及所述阳极区相比，其p型杂质浓度较低，

所述第二体区隔着所述第二沟槽与所述阳极区相邻，

所述第一体区在所述第二体区的所述阳极区侧的相反侧隔着所述第一沟槽与所述第二体区相邻。

2.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，

所述第二体区的p型杂质浓度分布为随着越靠近所述阳极区就越低。

3.根据权利要求2所述的半导体装置，其中，

所述第二体区的p型杂质浓度分布为随着越靠近所述阳极区就连续地逐渐变低。

4.根据权利要求2所述的半导体装置，其中，

所述第二体区的p型杂质浓度分布为随着越靠近所述阳极区就以阶梯状变低。