[发明专利]一种薄膜封装结构及薄膜封装方法在审

专利信息
申请号: 201811472511.8 申请日: 2018-12-04
公开(公告)号: CN109686855A 公开(公告)日: 2019-04-26
发明(设计)人: 王蕊 申请(专利权)人: 武汉华星光电半导体显示技术有限公司
主分类号: H01L51/52 分类号: H01L51/52;H01L51/56
代理公司: 深圳翼盛智成知识产权事务所(普通合伙) 44300 代理人: 黄威
地址: 430079 湖北省武汉市东湖新技术*** 国省代码: 湖北;42
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摘要: 发明提供一种薄膜封装结构,包括OLED器件、第一无机层、栅格挡墙、有机层和第二无机层;所述第一无机层覆盖至所述OLED器件上表面;所述栅格挡墙形成于所述第一无机层上表面,所述栅格挡墙包括多个栅格;以及所述有机层被填充至所述栅格内,且沉积在所述第一无机层上表面;所述第二无机层包覆所述栅格挡墙、所述有机层上表面及所述OLED器件、所述栅格挡墙、所述第一无机层的侧面。本发明还提供一种薄膜封装方法,包括以下步骤:准备步骤、栅格挡墙制备步骤、有机层制备步骤和第二无机层制备步骤。本发明通过在薄膜封装结构中增加了栅格挡墙,可以有效地防止墨水驻点的溢出和重叠,从而提高制作效率,并且使有机膜层均匀,提高器件发光的性能。
搜索关键词: 栅格 无机层 挡墙 上表面 有机层 薄膜封装结构 制备 薄膜封装 有机膜层 有效地 包覆 沉积 墨水 填充 溢出 发光 侧面 覆盖 制作
【主权项】:
1.一种薄膜封装结构,其特征在于,包括OLED器件;第一无机层,覆盖至所述OLED器件上表面;栅格挡墙,形成于所述第一无机层上表面,所述栅格挡墙包括两个以上栅格,以及一有机层,被填充至所述栅格内,且沉积在所述第一无机层上表面;第二无机层,包覆所述栅格挡墙、所述有机层上表面及所述OLED器件、所述栅格挡墙、所述第一无机层的侧面。
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