[发明专利]一种绝缘栅双极型晶体管及其制备方法在审
| 申请号： | 201811466031.0 | 申请日： | 2018-12-03 |
| 公开（公告）号： | CN111261710A | 公开（公告）日： | 2020-06-09 |
| 发明（设计）人： | 史波;肖婷;曾丹;廖勇波;敖利波;梁博 | 申请（专利权）人： | 珠海格力电器股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/739 | 分类号： | H01L29/739;H01L29/06;H01L21/331 |
| 代理公司： | 北京同达信恒知识产权代理有限公司 11291 | 代理人： | 黄志华 |
| 地址： | 519070*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明涉及功率半导体芯片技术领域，公开了一种绝缘栅双极型晶体管及其制备方法，该晶体管中包括衬底，衬底上设有集电极层和器件层，器件层在衬底上的投影包括至少两个相对的侧边与集电极层在衬底上投影的边缘具有设定距离，器件层外表面包覆有介质层，介质层背离器件层一侧形成有发射极键合金属层，集电极层背离衬底一侧位于器件层以外区域内设有集电极键合金属层。上述晶体管中，当对晶体管通电时，电子依次经过发射极键合金属层、器件层、集电极层、集电极键合金属层，实现电流导通，从而电流的通过路径不经过衬底，使得晶体管中可以采用较厚的衬底来承载超薄器件层，不需要采用超薄的减薄工艺和相关的复杂步骤，降低了制造成本以及制造难度。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 绝缘 栅双极型 晶体管 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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