[发明专利]一种绝缘栅双极型晶体管及其制备方法

权利要求书

1.一种绝缘栅双极型晶体管，其特征在于，包括衬底，所述衬底上设有集电极层，所述集电极层背离所述衬底的一侧设有器件层，所述器件层在所述衬底上的投影面积小于所述集电极层在所述衬底上的投影面积，且所述器件层在所述衬底上的投影包括至少两个相对的侧边与所述集电极层在所述衬底上的投影的边缘具有设定距离，且所述器件层的外表面包覆有介质层，所述介质层背离所述器件层的一侧形成有发射极键合金属层，所述集电极层背离所述衬底的一侧位于所述器件层以外的区域内设有集电极键合金属层。

2.根据权利要求1所述的绝缘栅双极型晶体管，其特征在于，所述器件层包括依次设置于所述集电极层背离所述衬底一侧的场截止层和器件耐压层。

3.根据权利要求2所述的绝缘栅双极型晶体管，其特征在于，所述器件耐压层背离所述衬底的一侧形成有元器件区域。

4.根据权利要求1所述的绝缘栅双极型晶体管，其特征在于，所述设定距离大于零。

5.根据权利要求4所述的绝缘栅双极型晶体管，其特征在于，所述设定距离的范围为小于或等于400微米。

6.根据权利要求1所述的绝缘栅双极型晶体管，其特征在于，所述介质层沿垂直于所述衬底的方向形成的侧壁的厚度范围为小于或等于1微米。

7.一种绝缘栅双极型晶体管的制备方法，其特征在于，包括：

在衬底上制备集电极层；

在所述集电极层背离所述衬底的一侧制备外延层；

将外延层进行刻蚀，形成器件层，并且所述器件层在所述衬底上的投影面积小于所述集电极层在所述衬底上的投影面积，以露出所述集电极层，且所述器件层在所述衬底上的投影包括至少两个相对的侧边与所述集电极层在所述衬底上的投影的边缘具有设定距离；

在所述器件层的外表面制备包覆所述器件层的介质层；

对所述介质层进行图案化处理；

在所述介质层的外表面制备包覆所述介质层的金属层，且所述金属层在所述衬底上的投影面积大于所述介质层在所述衬底上的投影面积；

对所述金属层进行图案化处理，以形成位于所述介质层背离所述器件层一侧的发射极键合金属层以及形成于位于所述集电极层背离所述衬底一侧的集电极键合金属层。

8.根据权利要求7所述的绝缘栅双极型晶体管的制备方法，其特征在于，所述在集电极层背离衬底的一侧制备外延层，包括：

在所述集电极层背离所述衬底的一侧制备场截止层；

在所述场截止层背离所述集电极层的一侧制备器件耐压层。

9.根据权利要求8所述的绝缘栅双极型晶体管的制备方法，其特征在于，在所述将外延层进行刻蚀，形成器件层，并且器件层在衬底上的投影面积小于集电极层在衬底上的投影面积，以露出所述集电极层，且所述器件层在所述衬底上的投影包括至少两个相对的侧边与所述集电极层在所述衬底上的投影的边缘具有设定距离之前，还包括：

在所述器件耐压层背离所述衬底的一侧制备元器件层。

10.根据权利要求9所述的绝缘栅双极型晶体管的制备方法，其特征在于，所述在器件耐压层背离衬底的一侧制备元器件层，包括：

在所述器件耐压层背离所述场截止层的一侧刻蚀形成多个凹槽，并在凹槽内填充用于制备元器件的材料，以形成元器件层，所述元器件层所对应的所述器件耐压层的区域为元器件形成区。