[发明专利]压力传感器及其制备方法有效
申请号: | 201811465344.4 | 申请日: | 2018-12-03 |
公开(公告)号: | CN109540354B | 公开(公告)日: | 2020-10-23 |
发明(设计)人: | 李威威;陈明;李伟民;程冠铭;冯叶;钟国华;李文杰;杨春雷 | 申请(专利权)人: | 深圳先进技术研究院 |
主分类号: | G01L1/18 | 分类号: | G01L1/18 |
代理公司: | 深圳市铭粤知识产权代理有限公司 44304 | 代理人: | 孙伟峰;黄进 |
地址: | 518055 广东省深圳*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | 本发明公开了一种压力传感器及其制备方法,所述压力传感器包括相对设置的第一电极板和第二电极板,其特征在于,所述第一电极板包括第一衬底以及设置在所述第一衬底上的叉指电极,所述叉指电极的每一子电极包括依次设置于所述第一衬底上的半导体层和第一复合金属层;所述第二电极板包括一侧表面具有微结构阵列的第二衬底和覆设于所述微结构阵列上的第二复合金属层;其中,所述第二复合金属层与所述第一复合金属层相互抵触连接。所述压力传感器具有高灵敏度、大的测量范围和能耗低的特性,能够满足在压力传感器的应用领域中日益增长的需求;另外,该压力传感器的结构简单、其制备工艺难度低,易于大规模生产。 | ||
搜索关键词: | 压力传感器 及其 制备 方法 | ||
【主权项】:
1.一种压力传感器,包括相对设置的第一电极板和第二电极板,其特征在于,所述第一电极板包括第一衬底以及设置在所述第一衬底上的叉指电极,所述叉指电极的每一子电极包括依次设置于所述第一衬底上的半导体层和第一复合金属层,所述半导体层的表面形成为粗糙表面,所述第一复合金属层设置在所述粗糙表面上;所述第二电极板包括一侧表面具有微结构阵列的第二衬底和覆设于所述微结构阵列上的第二复合金属层;其中,所述第二复合金属层与所述第一复合金属层相互抵触连接。
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