[发明专利]压力传感器及其制备方法

权利要求书

1.一种压力传感器，包括相对设置的第一电极板和第二电极板，其特征在于，所述第一电极板包括第一衬底以及设置在所述第一衬底上的叉指电极，所述叉指电极的每一子电极包括依次设置于所述第一衬底上的半导体层和第一复合金属层，所述半导体层的表面形成为粗糙表面，所述第一复合金属层设置在所述粗糙表面上；所述第二电极板包括一侧表面具有微结构阵列的第二衬底和覆设于所述微结构阵列上的第二复合金属层；其中，所述第二复合金属层与所述第一复合金属层相互抵触连接。

2.根据权利要求1所述的压力传感器，其特征在于，所述半导体层的表面形成为直立式二维片状结构的粗糙表面。

3.根据权利要求2所述的压力传感器，其特征在于，所述半导体层的厚度为5～8μm，所述直立式二维片状结构的高度为400～500nm，所述直立式二维片状结构的表面粗糙度为300～400nm。

4.根据权利要求1所述的压力传感器，其特征在于，所述叉指电极中，每一子电极的长度为1～2cm，宽度为100～120μm，相邻两个子电极的中心间距为100～120μm。

5.根据权利要求1所述的压力传感器，其特征在于，所述微结构阵列的高度为5～10μm，相邻两个微结构的中心间距为5～10μm。

6.根据权利要求1所述的压力传感器，其特征在于，所述第一衬底为刚性衬底或柔性衬底，所述第二衬底的材料为PDMS。

7.根据权利要求1-6任一所述的压力传感器，其特征在于，所述第一复合金属层和所述第二复合金属层分别包括叠层设置的第一金属层和第二金属层，其中两个第二金属层相互抵触连接。

8.根据权利要求7所述的压力传感器，其特征在于，所述第一金属层的材料为铬或镍或钛，所述第二金属层的材料为金或银。

9.根据权利要求7所述的压力传感器，其特征在于，所述第一金属层的厚度为5～10nm，所述第二金属层的厚度为100～150nm。

10.一种如权利要求1-9任一所述的压力传感器的制备方法，其特征在于，包括：

第一电极板的制备，包括：提供第一衬底，在所述第一衬底上依次沉积半导体薄膜层和第一复合金属薄膜层，应用刻蚀工艺将所述半导体薄膜层和所述第一复合金属薄膜层刻蚀形成叉指电极；

第二电极板的制备，包括：应用刻蚀工艺或倒模工艺制备形成一侧表面具有微结构阵列的第二衬底，在所述第二衬底的微结构阵列的表面上沉积第二复合金属层；

将所述第二电极板叠层设置在所述第一电极板上，获得所述压力传感器。