[发明专利]一种多重响应波段的半导体探测器

摘要

本发明公开一种多重响应波段的半导体探测器，依次包括衬底、第一导电型半导体，InxGa1‑xN/GaN量子阱，V‑pits，第一Au纳米颗粒，AlN纳米柱，Al2O3纳米柱，β‑Ga2O3:III纳米柱，第二Au纳米颗粒，第二导电型Si基板，其特征在于所述InxGa1‑xN/GaN量子阱的V‑pits上方依次沉积第一Au纳米颗粒、AlN纳米柱、Al2O3纳米柱，β‑Ga2O3:III纳米柱以及第二Au纳米颗粒，所述InxGa1‑xN/GaN量子阱形成第一响应波段，所述AlN纳米柱和第一Au纳米颗粒形成第二响应波段，Al2O3纳米柱和β‑Ga2O3:III纳米柱构成核壳结构形成第三响应波段，所述β‑Ga2O3:III纳米柱/第二Au纳米颗粒/第二导电型Si基板形成第四响应波段，从而在将多重响应波段集成在单个探测器的外延结构中。

主权项

1.本发明公开一种多重响应波段的半导体探测器，依次包括衬底、第一导电型半导体，In_xGa_1‑xN/GaN量子阱，V‑pits，第一Au纳米颗粒，AlN纳米柱，Al₂O₃纳米柱，β‑Ga₂O₃:III纳米柱，第二Au纳米颗粒，第二导电型Si基板，其特征在于所述In_xGa_1‑xN/GaN量子阱的V‑pits上方依次沉积第一Au纳米颗粒、AlN纳米柱、Al₂O₃纳米柱，β‑Ga₂O₃:III纳米柱以及第二Au纳米颗粒，所述In_xGa_1‑xN/GaN量子阱形成第一响应波段，所述AlN纳米柱和第一Au纳米颗粒形成第二响应波段，Al₂O₃纳米柱和β‑Ga₂O₃:III纳米柱构成核壳结构形成第三响应波段，所述β‑Ga₂O₃:III纳米柱/第二Au纳米颗粒/第二导电型Si基板形成第四响应波段，从而在将多重响应波段集成在单个探测器的外延结构中。