[发明专利]一种光有源器件半导体衬底的抛光工艺有效

专利信息
申请号: 201811457051.1 申请日: 2018-11-30
公开(公告)号: CN109659227B 公开(公告)日: 2021-07-23
发明(设计)人: 沈伟明;李再裕;周祥胜 申请(专利权)人: 宁波市永硕精密机械有限公司
主分类号: H01L21/306 分类号: H01L21/306;H01L21/3105;H01L33/00;C09G1/02
代理公司: 宁波市鄞州盛飞专利代理事务所(特殊普通合伙) 33243 代理人: 洪珊珊
地址: 315137 浙*** 国省代码: 浙江;33
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摘要: 发明属于半导体材料领域,涉及一种光有源器件半导体衬底的抛光工艺。所述抛光工艺包括以下步骤:将旋转的半导体衬底压在同方向旋转的抛光垫上,向抛光垫输送抛光液,半导体衬底被抛光垫抛光。述抛光液包括以下重量百分比组分:磨料:2‑10%;磷脂:1‑5%;pH调节剂:1‑5%;表面活性剂:2‑8%;氧化剂:0.5‑1%余量为水;所述抛光液的pH值为9‑11。
搜索关键词: 一种 有源 器件 半导体 衬底 抛光 工艺
【主权项】:
1.一种光有源器件半导体衬底的抛光工艺,其特征在于,所述抛光工艺包括以下步骤:将旋转的半导体衬底压在同方向旋转的抛光垫上,向抛光垫输送抛光液,半导体衬底被抛光垫抛光。
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