[发明专利]一种光有源器件半导体衬底的抛光工艺

权利要求书

1.一种光有源器件半导体衬底的抛光工艺，其特征在于，所述抛光工艺包括以下步骤：

将旋转的半导体衬底压在同方向旋转的抛光垫上，向抛光垫输送抛光液，半导体衬底被抛光垫抛光；所述抛光液包括以下重量百分比组分：

磨料：2-10％；

磷脂：1-5％；

pH调节剂：1-5％；

表面活性剂：2-8％；

氧化剂：0.5-1％；

余量为水；

所述抛光液的pH值为9-11；

所述抛光液的制备方法包括以下步骤：将磨料、表面活性剂、氧化剂与80-90％水混合后，在20-40℃下搅拌均匀，加入磷脂，于4000r/min转速下反应20-40min，然后滴加pH调节剂使得抛光液的pH值为9-11，最后补足剩余水；

所述磷脂为卵磷脂、磷脂酰甘油、缩醛磷脂中的一种或多种；

所述磨料粒径为10-200nm；

所述磨料为二氟化镁和三氧化二铝以质量比为1:2-5形成的复合颗粒；

所述抛光工艺中，抛光压力：10-40kPa，抛光转速：50-200r/min，抛光时间：2.5-4h，抛光液输送量：100-500mL/min。

2.根据权利要求1所述的抛光工艺，其特征在于，所述pH调节剂为无机碱和/或有机碱，无机碱为KOH、NaOH的一种或两种，有机碱为羟乙基乙二胺、三乙醇胺、三乙烯二胺、四甲基乙二胺或四羟乙基乙二胺的一种或几种。