[发明专利]半导体器件及其制备方法在审
| 申请号： | 201811453062.2 | 申请日： | 2018-11-30 |
| 公开（公告）号： | CN111261609A | 公开（公告）日： | 2020-06-09 |
| 发明（设计）人： | 不公告发明人 | 申请（专利权）人： | 长鑫存储技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/488 | 分类号： | H01L23/488;H01L23/522;H01L23/528 |
| 代理公司： | 北京律智知识产权代理有限公司 11438 | 代理人： | 李华;崔香丹 |
| 地址： | 230000 安徽省合肥市*** | 国省代码： | 安徽;34 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 提供一种半导体器件，包括：衬底，一表面上具有结合垫；导电体，凸出于所述结合垫且与所述结合垫连接；及所述导电体顶面设有焊料层以及环绕所述焊料层的环形第一阻挡层，所述焊料层凸出于所述环形第一阻挡层。还提供该半导体器件的制备方法。本发明通过在焊料的外表面包覆环状阻挡层，减少了回焊工艺中由于焊料会出现爬锡造成锡量不足而导致的不沾锡的缺陷或焊料量太多导致焊桥缺陷，从而提高产品的良率。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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